类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：250V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　漏极电流 Id（连续）：3.4A
　　导通电阻 Rds(on)：1.2Ω @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散：50W

QLS25ZD-NT 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的 Rds(on) 在 Vgs = 10V 时为 1.2Ω，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　此外，QLS25ZD-NT 具有较高的漏源击穿电压（250V），能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换应用。其最大连续漏极电流为 3.4A，能够在负载变化较大的环境中提供稳定的性能。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。封装结构也便于安装散热片，以进一步提升散热效率。
　　QLS25ZD-NT 的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有较高的栅极电压耐受能力，使其在使用中更加灵活，适用于多种驱动电路设计。此外，该器件的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高整体系统的效率。
　　其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、电源管理、消费电子等多种应用场景。

QLS25ZD-NT 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中，包括但不限于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、同步整流电路、电机驱动器和负载开关控制等。在电源管理领域，该器件可作为主开关元件用于高效能转换器中，以实现更高的能量转换效率。
　　在电机控制应用中，QLS25ZD-NT 可用于 H 桥电路中，作为驱动电机的功率开关器件。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电机驱动效率，并减少发热问题。
　　此外，该 MOSFET 还适用于电池管理系统，例如在 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统中作为关键的功率开关元件。其良好的热稳定性和高可靠性使其成为工业自动化设备和嵌入式控制系统中的理想选择。
　　由于其封装形式易于安装和散热，QLS25ZD-NT 也常用于消费类电子产品中的电源模块，如电视电源、LED 照明驱动器和智能家电中的功率控制电路。

STP25NM50N, FDPF25N50