制造商：Qorvo
　　器件类型：射频功率晶体管
　　技术：GaN on SiC HEMT
　　工作频率范围：1.2 GHz 至 2.5 GHz
　　输出功率（Pout）：25 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　漏极电压（Vds）：28 V
　　漏极电流（Idq）：120 mA（典型静态电流）
　　效率：≥65%（典型值）
　　输入/输出匹配：片内匹配至50Ω
　　封装类型：螺栓式金属陶瓷封装
　　热阻（Rth）：1.2°C/W（从结到外壳）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

QK025NH6TP的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料的先进物理特性，相较于传统的LDMOS或GaAs器件，它在更高频率下仍能维持优异的功率密度与效率表现。该器件采用GaN on SiC结构，其中碳化硅衬底提供了极佳的热传导能力，显著降低了器件在高功率运行时的结温上升速度，从而增强了长期工作的稳定性与可靠性。这种结构还减少了热膨胀系数不匹配带来的机械应力，提升了器件在温度循环环境下的耐久性。
　　该器件在1.2 GHz至2.5 GHz的宽频带范围内表现出平坦的增益响应和稳定的输出功率特性，无需复杂的外部调谐网络即可实现宽带操作。其内置的输入和输出匹配电路优化了与50欧姆系统的接口兼容性，简化了射频设计流程，缩短了产品开发周期。此外，QK025NH6TP具备良好的抗过载能力和高击穿电压特性，在异常负载条件下仍能保持稳定运行，避免因驻波比（VSWR）过高导致的损坏风险。
　　在效率方面，QK025NH6TP实现了超过65%的典型漏极效率，这不仅降低了系统对电源的需求，也减少了散热系统的体积与成本，特别适用于空间受限或功耗敏感的应用场景。同时，该器件在多载波通信环境中展现出优良的线性度和低互调失真（IMD3通常低于-30 dBc），确保信号传输质量符合高标准通信协议的要求。其高功率附加效率（PAE）进一步提升了能源利用率，对于需要长时间连续发射的雷达和通信系统尤为重要。
　　QK025NH6TP还具备良好的电磁屏蔽性能和机械坚固性，其金属陶瓷封装不仅提供了优异的射频隔离效果，还能通过螺栓固定方式牢固安装于散热器上，确保长期振动环境下的连接可靠性。该器件可通过偏置电路进行AB类或B类工作模式调节，适应不同应用场景对效率与线性的权衡需求。综合来看，QK025NH6TP是一款面向高端射频功率应用的现代化GaN晶体管，集高性能、高可靠性和易用性于一体。

QK025NH6TP广泛应用于需要高功率、高效率和宽带性能的射频系统中。其主要应用领域包括军用和民用雷达系统，特别是在地面移动雷达、空中交通管制雷达以及相控阵雷达前端模块中，作为发射链路中的主放大器单元。由于其在S波段的良好性能，该器件也常用于卫星通信地球站、点对点微波回传链路以及宽带无线接入系统，支持LTE、5G固定无线接入（FWA）等现代通信标准。
　　在航空电子系统中，QK025NH6TP可用于机载通信设备和电子战（EW）系统中的干扰源或信号增强模块，其高功率输出和快速响应能力有助于提升系统的作战效能。此外，在工业、科学和医疗（ISM）频段设备中，如射频加热、等离子体生成和磁共振成像（MRI）激励源，该器件也能提供稳定可靠的射频能量输出。
　　测试与测量设备制造商也将QK025NH6TP用于构建高功率射频信号发生器或功率放大子系统，以模拟真实环境下的强信号条件。其宽频带特性和良好的互调性能使其成为研发和认证测试平台的重要组成部分。此外，该器件还可用于高功率HF/VHF/UHF广播发射机的末级放大，替代传统真空管方案，实现小型化、低维护和高能效的设计目标。

QPD1010
　　QPD1025
　　AMMP-6424