时间：2025/6/22 14:08:46
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IRFR120NCPBF是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。
此MOSFET具备出色的热性能和电气性能，适用于高效率功率转换和负载切换应用。其工作电压范围较宽，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1170pF
总功耗：31W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
IRFR120NCPBF采用了先进的制造工艺，使其具备低导通电阻的特点，从而减少了导通损耗，提高了整体系统的效率。
此外，它具有较快的开关速度和较低的栅极电荷，这使得在高频应用中表现优异。
该器件还具有较高的雪崩耐量和鲁棒性，能够在异常情况下提供更好的保护。
同时，其封装设计优化了散热性能，进一步增强了器件的可靠性和稳定性。
这款MOSFET广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 工业自动化系统中的负载切换
5. 消费类电子产品中的电源管理
由于其高效率和可靠性，它特别适合需要高性能功率管理的应用场景。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP18N10
IXTP18N10P
