型号：QK008N5TP
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：8A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.75Ω @ Vgs=10V，最大值0.95Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值24nC @ Vds=400V, Id=4A
　　输入电容（Ciss）：典型值1050pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：典型值180pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管快速恢复要求）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)
　　功率耗散（Pd）：50W（带散热板）

QK008N5TP采用高性能沟槽栅工艺，具备优异的导通特性和开关响应能力。其核心优势在于低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下，最大值仅为0.95Ω，能够显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。这对于需要长时间运行的电源设备尤为重要，例如AC-DC适配器、离线式开关电源和LED恒流驱动模块。同时，该器件的高耐压能力（500V）使其能够安全应用于市电整流后的高压侧开关电路中，具备足够的电压裕量以应对瞬态过压和浪涌冲击。
　　该MOSFET的栅极电荷Qg较低，典型值为24nC，意味着驱动电路所需的能量较小，有利于减少驱动芯片的负载并提高整体系统的开关频率。低Qg结合较小的输入电容Ciss（1050pF）和输出电容Coss（180pF），使得器件在高频开关应用中表现出色，有效降低开关过程中的动态损耗，从而提升电源转换效率。此外，器件具备良好的热稳定性，其最大结温可达150℃，配合TO-252封装的优良散热性能，可在高温环境下长期稳定工作。
　　QK008N5TP还具备较强的抗雪崩能力，能够在意外发生电感反冲或负载突变时承受一定的能量冲击而不损坏，提高了系统的鲁棒性。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容标准逻辑电平驱动信号，支持与PWM控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。封装采用TO-252形式，便于自动化贴片生产，并可通过焊盘连接大面积铜箔实现高效散热，适用于紧凑型高密度电源设计。总体而言，QK008N5TP是一款性价比高、性能稳定的中功率MOSFET，适合广泛应用于各类电力电子变换场合。

QK008N5TP主要用于中低功率开关电源系统中，作为主开关管或同步整流管使用。典型应用场景包括：通用AC-DC电源适配器（如手机充电器、笔记本电源）、离线式反激变换器（Flyback Converter）、DC-DC降压/升压转换器、LED恒流驱动电源、小型逆变器、家用电器控制板中的电机驱动电路以及工业控制电源模块。由于其具备500V耐压和8A电流能力，特别适合用于20W至100W范围内的电源设计，在待机功耗和满载效率之间实现良好平衡。
　　在反激式开关电源中，QK008N5TP常被用作初级侧的功率开关，负责将直流高压通过高频斩波传递到变压器次级，实现电压变换和能量传输。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率并减少发热。在LED照明驱动方案中，该器件可用于隔离式或非隔离式拓扑结构，如原边反馈反激或降压型Buck电路，确保恒流输出的稳定性与可靠性。
　　此外，QK008N5TP也适用于电机驱动应用，例如小功率风扇、水泵或电动工具中的H桥或单管驱动电路，提供高效的开关控制功能。在工业控制系统中，它可用于继电器驱动、电磁阀控制或作为高端/低端开关元件。得益于其TO-252封装的小体积和良好散热特性，该器件非常适合空间受限但需要一定功率处理能力的应用场景。同时，其成本优势使其成为国产化替代方案中的优选器件，广泛用于追求高性价比的产品设计中。

STP8NK50Z
　　2N60
　　FQP8N50
　　KSE08N50
　　AP8N50F