时间：2025/6/22 14:07:35
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IRFHS9351TRPBF是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能N沟道增强型MOSFET，采用PowerTrench技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于高频开关应用和功率转换电路。其封装形式为SO-8，支持表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：37A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
总栅极电荷：19nC
开关时间：ton=9ns，toff=17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRFHS9351TRPBF具备极低的导通电阻，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
其快速的开关性能使其非常适合高频DC-DC转换器和负载点（POL）转换应用。
此外，该器件内置反向恢复电荷极低的体二极管，有助于减少开关过程中的损耗。
由于采用了先进的PowerTrench技术，IRFHS9351TRPBF能够在紧凑的封装内提供卓越的功率密度。
其高雪崩能力和坚固的设计确保了在严苛环境下的可靠运行。
该器件适用于多种功率转换和电机驱动场景，包括但不限于：
笔记本电脑和服务器电源管理
DC-DC转换器
负载点（POL）转换
电信和网络设备电源
电机驱动与控制
消费类电子产品的适配器和充电器
汽车电子中的辅助功能模块
IRFH9351TRPBF, BSC016N06NS3, FDMQ8207
