DAM3MA13 是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的Trench MOS工艺制造,适用于高性能开关应用。该器件封装在SOT26(SOT-26)小型封装中,具有优异的热性能和电气性能,适合用于便携式设备、电源管理、负载开关和DC-DC转换器等应用场景。
类型:MOSFET(双N沟道)
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):4A(单通道)
导通电阻(RDS(on)):@4.5V GS:13mΩ(最大);@2.5V GS:20mΩ(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT26(SOT-26)
DAM3MA13 具备低导通电阻的特性,使其在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。其双N沟道MOSFET结构允许在单个封装中实现两个独立的开关控制,非常适合用于H桥驱动、负载切换或多路电源管理应用。该器件支持低电压驱动,能够在2.5V至4.5V的栅极电压范围内正常工作,兼容多种低电压控制器和逻辑IC。此外,SOT26封装提供了良好的热管理能力,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET还具备优异的雪崩能量耐受能力,能够承受瞬态过电压和高电流冲击,提高了系统可靠性和稳定性。其高集成度和小型化设计有助于减少PCB空间占用,适用于对尺寸和功耗要求严格的便携式电子产品。此外,DAM3MA13的制造工艺符合RoHS环保标准,适用于绿色电子设备设计。
DAM3MA13 主要用于以下应用场景:电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流、电池供电设备中的电源切换、电机驱动和H桥电路、以及各种需要高效、低功耗MOSFET开关的嵌入式系统。由于其低导通电阻和良好的热性能,该器件特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、笔记本电脑、工业控制设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。
DMN6024SFD-13, BSS138K, 2N7002K, FDN340P, FDS6675