DAM3MA13 时间：2025/9/7 7:31:22 阅读：26

DAM3MA13 是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench MOS工艺制造，适用于高性能开关应用。该器件封装在SOT26（SOT-26）小型封装中，具有优异的热性能和电气性能，适合用于便携式设备、电源管理、负载开关和DC-DC转换器等应用场景。

参数

类型：MOSFET（双N沟道）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4A（单通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：@4.5V GS：13mΩ（最大）；@2.5V GS：20mΩ（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT26（SOT-26）

特性

DAM3MA13 具备低导通电阻的特性，使其在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。其双N沟道MOSFET结构允许在单个封装中实现两个独立的开关控制，非常适合用于H桥驱动、负载切换或多路电源管理应用。该器件支持低电压驱动，能够在2.5V至4.5V的栅极电压范围内正常工作，兼容多种低电压控制器和逻辑IC。此外，SOT26封装提供了良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压和高电流冲击，提高了系统可靠性和稳定性。其高集成度和小型化设计有助于减少PCB空间占用，适用于对尺寸和功耗要求严格的便携式电子产品。此外，DAM3MA13的制造工艺符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设备设计。

应用

DAM3MA13 主要用于以下应用场景：电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流、电池供电设备中的电源切换、电机驱动和H桥电路、以及各种需要高效、低功耗MOSFET开关的嵌入式系统。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、笔记本电脑、工业控制设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。