时间：2025/8/7 0:57:05
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QIS4506002 是一款由Qorvo公司推出的高性能射频功率晶体管，采用先进的硅基LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，广泛应用于射频功率放大器和通信设备中。该器件设计用于在高频范围内提供高效率和高输出功率，适用于无线基础设施、广播系统和工业应用。
类型：射频功率晶体管
晶体管类型：N沟道LDMOSFET
最大漏极电压(Vds)：65V
最大栅极电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：30A
频率范围：1.8GHz至2.7GHz
输出功率(Pout)：600W
增益：约20dB
效率：约40%
封装类型：气密封装，金属陶瓷封装
工作温度范围：-65°C至+150°C
QIS4506002 是一款专为高功率射频应用而设计的LDMOS晶体管，具有出色的热稳定性和可靠性。该器件在1.8GHz至2.7GHz频率范围内提供高达600W的连续波输出功率，适用于高功率放大器模块。其高增益和高效率特性使其在基站、广播发射机和工业加热设备中表现出色。此外，QIS4506002具有低热阻和高耐用性，能够在苛刻的环境条件下长时间稳定工作。其金属陶瓷封装提供了良好的散热性能，并增强了器件的机械强度和耐久性，确保在高功率应用中的长期可靠性。
QIS4506002 主要应用于无线通信基站、广播发射机、工业加热设备、测试设备和高功率射频放大器模块等场景。该器件特别适合需要高输出功率和高效率的高频放大器设计。
QIS4506002-H，QIS4506002-1，QIS4506002-2
