时间：2025/5/7 12:26:34
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QFE2520-0-34WLNSP-HR 是一款高性能的射频功率晶体管，专为需要高效率和宽带宽的应用而设计。该器件基于先进的LDMOS技术制造，能够在广泛的频率范围内提供卓越的输出功率和增益性能。它适用于蜂窝通信基站、无线电通信系统以及其他高频功率放大器应用。
型号：QFE2520-0-34WLNSP-HR
封装类型：表面贴装（WLNSP）
工作频率范围：1800 MHz - 2500 MHz
输出功率：34 dBm
增益：15 dB
效率：超过50%
供电电压：28 V
最大功耗：75 W
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
QFE2520-0-34WLNSP-HR采用增强型LDMOS技术，具备高击穿电压和低热阻特性，从而确保了其在高频条件下的稳定性和可靠性。
该器件具有良好的线性度表现，能够有效减少信号失真，适合用于对信号质量要求较高的场景。
此外，其内置匹配网络简化了电路设计，并且优化了增益与带宽之间的平衡。
通过精确的工艺控制，此器件还实现了较低的寄生效应，从而提高了整体性能表现。
为了满足不同的应用场景需求，该芯片支持多种调制模式，包括但不限于GSM、CDMA、WCDMA以及LTE等标准。
QFE2520-0-34WLNSP-HR广泛应用于无线通信领域，尤其是蜂窝基站中的射频功率放大器部分。
具体应用包括：
- 蜂窝基站发射机
- 固定无线接入设备
- 公共移动无线电系统（PMR）
- 军事通信及雷达系统
- 测试与测量设备中的射频信号源
由于其出色的效率和功率密度，该芯片也非常适合用作高性能射频能量转换的核心组件。
QFE2520-0-34WLNSP-LR
QFE2520-0-34WLNSP-MR
