频率范围：3.3 GHz - 4.2 GHz
　　输出功率：23 dBm（典型值）
　　接收增益：14 dB
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：QFN
　　尺寸：7.0 mm x 7.0 mm
　　接口类型：MIPI、RF接口
　　支持标准：4G LTE, 5G NR

QFE2340-0VV 是一款高度集成的射频前端模块，专为满足现代无线通信系统对高频段、高带宽和高线性度的需求而设计。该模块内置功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和射频开关，能够在 3.3 GHz 至 4.2 GHz 的高频段内提供稳定的射频信号处理能力。其功率放大器在典型工作条件下可提供 23 dBm 的输出功率，确保信号在远距离传输中的稳定性与可靠性。低噪声放大器具有 14 dB 的增益，有效提升接收链路的灵敏度，减少外部干扰对信号接收的影响。
　　该模块采用 3.3V 电源供电，兼容大多数现代射频系统的设计需求，降低了电源管理电路的复杂度。其 QFN 封装形式（7.0 mm x 7.0 mm）不仅节省空间，还便于在高密度 PCB 设计中集成。QFE2340-0VV 支持 MIPI 接口和 RF 接口，能够与 Qualcomm 的其他射频芯片（如收发器或基带处理器）无缝配合，实现完整的射频前端解决方案。
　　此外，该模块具备良好的温度适应能力，工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在各种工业和户外环境中使用。其设计符合 4G LTE 和 5G NR 标准，适用于基站、用户终端设备（CPE）、工业路由器、无人机通信系统等多种应用场景。QFE2340-0VV 还具备良好的线性度和隔离度，有助于减少信号失真和互调干扰，从而提升整体通信质量。

QFE2340-0VV 主要应用于需要高性能射频前端的无线通信设备中，包括 5G 基站、用户终端设备（CPE）、工业路由器、无人机通信系统、毫米波通信设备、移动热点设备、智能城市基础设施、工业自动化通信系统等。由于其支持 3.3 GHz 至 4.2 GHz 的高频段操作，QFE2340-0VV 特别适用于需要高带宽和低延迟的 5G 毫米波通信系统。

QFE2340-0AA, QFE2340-1VV, QFE2341-0VV