时间：2025/6/4 17:15:45
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QEB363ZR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要低导通电阻和快速开关速度的场景。其设计采用了先进的制造工艺，从而实现了卓越的电气性能和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=75ns, toff=55ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
QEB363ZR具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：能够承受高达650V的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 超低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为0.18Ω，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关能力：极低的栅极电荷和优化的开关时间使其非常适合高频开关应用。
4. 热稳定性强：能够在宽温度范围内稳定运行，确保了恶劣环境下的可靠性。
5. 小封装尺寸：采用行业标准的TO-220封装，便于安装和散热设计。
QEB363ZR广泛应用于多个领域：
1. 开关电源：如适配器、充电器等。
2. 电机控制：用于无刷直流电机和其他类型电机的驱动电路。
3. DC-DC转换器：包括升压、降压以及升降压转换器。
4. 工业自动化设备：例如伺服驱动器、逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 汽车电子：适用于车载充电系统及电动助力转向等应用。
IRFZ44N
STP12NK60Z
FDP5570
IXFN12N65B
