QEB363ZR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要低导通电阻和快速开关速度的场景。其设计采用了先进的制造工艺,从而实现了卓越的电气性能和可靠性。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=75ns, toff=55ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
QEB363ZR具有以下显著特点:
1. 高击穿电压:能够承受高达650V的漏源电压,适合高压应用环境。
2. 超低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为0.18Ω,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关能力:极低的栅极电荷和优化的开关时间使其非常适合高频开关应用。
4. 热稳定性强:能够在宽温度范围内稳定运行,确保了恶劣环境下的可靠性。
5. 小封装尺寸:采用行业标准的TO-220封装,便于安装和散热设计。
QEB363ZR广泛应用于多个领域:
1. 开关电源:如适配器、充电器等。
2. 电机控制:用于无刷直流电机和其他类型电机的驱动电路。
3. DC-DC转换器:包括升压、降压以及升降压转换器。
4. 工业自动化设备:例如伺服驱动器、逆变器和不间断电源(UPS)系统。
5. 汽车电子:适用于车载充电系统及电动助力转向等应用。
IRFZ44N
STP12NK60Z
FDP5570
IXFN12N65B