类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　连续漏极电流（ID）：25 A（@ Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：100 A
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5 mΩ（@ VGS=10 V, ID=12.5 A）
　　导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ（@ VGS=4.5 V, ID=12 A）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.1 V（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：39 nC（@ VGS=10 V）
　　输入电容（Ciss）：2080 pF（@ VDS=30 V）
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（PD）：72 W（@ Tc=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装：PowerDI5060-8L

Q6025RH5TP采用了安森美先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构通过在硅片上形成垂直导电沟道，显著降低了导通电阻，同时提升了单位面积内的电流承载能力。其低RDS(on)特性使得在大电流工作状态下能够有效减少I2R导通损耗，这对于提高电源系统的整体效率至关重要。特别是在同步整流、负载开关和电池管理系统中，低导通电阻意味着更少的热量产生，从而降低对散热设计的要求，有助于实现更紧凑的产品设计。
　　该器件具有优异的开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），在高频PWM控制下能够快速开启和关断，减少开关过渡时间，进而降低开关损耗。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、POL（点负载）电源模块以及服务器和通信设备中的高效电源架构。此外，较短的反向恢复时间（trr）也减少了体二极管在换向过程中的能量损耗，进一步提升了系统效率并降低了EMI干扰风险。
　　Q6025RH5TP具备良好的热性能，其PowerDI5060-8L封装采用无引线设计，底部带有大面积裸露焊盘，可直接焊接至PCB的热焊盘上，实现高效的热传导路径。这使得器件即使在高功率密度应用中也能维持较低的工作结温，提高了长期运行的可靠性和寿命。该封装还优化了寄生电感，有助于抑制电压尖峰和振铃现象，增强系统的电磁兼容性。
　　该MOSFET支持宽范围的栅极驱动电压（通常为4.5V至10V），兼容标准逻辑电平和专用驱动IC的输出，便于集成到各种控制电路中。其稳定的阈值电压和良好的跨导特性确保了在不同工作条件下的可控性和一致性。此外，器件经过严格测试，具备出色的抗雪崩能力和dV/dt耐受性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行，适用于工业、汽车和电信等对可靠性要求较高的领域。

Q6025RH5TP广泛应用于多种中高功率电子系统中，尤其适用于需要高效能、小体积和高可靠性的场合。在DC-DC转换器中，它常被用作主开关或同步整流器，尤其是在降压（Buck）拓扑中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并减少热耗散。该器件也常见于多相电源设计，用于服务器、工作站和高端GPU的供电模块中，满足大电流、低电压核心电源的需求。
　　在电池管理系统（BMS）和电动工具、无人机等便携式设备中，Q6025RH5TP可用于电池充放电回路的通断控制，作为理想二极管或负载开关使用，有效防止反向电流并实现低损耗的能量传输。其高电流承载能力和热稳定性使其能够在短时过载或启动冲击下保持正常工作。
　　此外，该MOSFET适用于电机驱动应用，如直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和精确的电流控制能力。在工业电源、UPS不间断电源和LED驱动电源中，Q6025RH5TP也被用于功率因数校正（PFC）阶段或次级侧整流环节，帮助提升系统能效并满足能效标准要求。由于其符合AEC-Q101车规级可靠性标准，该器件也可用于车载信息娱乐系统、ADAS模块或车身控制单元中的电源管理部分。

NTD6025CLP-G
　　FDMC66701A
　　SISS72DN-T1-GE3
　　AOZ6311PI