时间：2025/5/13 10:23:17
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LSF0204RGYR 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，属于高效功率开关器件。该型号采用表面贴装封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合高频开关应用和电源转换系统。
该器件通常用于 DC-DC 转换器、功率因数校正 (PFC) 电路以及无线充电设备中，能够显著提高系统的效率和功率密度。
型号：LSF0204RGYR
类型：GaN HEMT
封装：DFN8
最大漏源电压（Vds）：200V
最大栅源电压（Vgs）：±6V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：95mΩ（典型值，在 Vgs=6V 时）
输入电容（Ciss）：360pF
反向恢复电荷（Qrr）：无（零反向恢复电荷）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
LSF0204RGYR 的主要特性包括：
1. 高开关频率支持，最高可达 5MHz，适合高频应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗。
3. 采用 GaN 技术，具备零反向恢复电荷特性，减少开关损耗。
4. 小型化的 DFN8 封装，便于表面贴装和高密度设计。
5. 支持宽工作温度范围，适应各种严苛环境。
6. 具备高可靠性，通过多种电气和热应力测试。
LSF0204RGYR 广泛应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器设计。
2. 功率因数校正 (PFC) 电路中的功率开关。
3. 快速充电适配器和无线充电设备的核心功率元件。
4. 消费类电子产品的电源管理系统。
5. 电信和工业应用中的高频开关电源。
6. 太阳能微型逆变器和储能系统中的功率转换模块。
LSF0204RGCYR
LSF0204RGMYR
