型号：Q6025N5RP
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vdss)：600V
　　连续漏极电流(Id)：25A @ 100°C
　　脉冲漏极电流(Id,脉冲)：100A
　　导通电阻(Rds(on))：0.175Ω @ Vgs=10V, Id=12.5A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：3V ~ 4V
　　输入电容(Ciss)：1800pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：32ns
　　最大功耗(Ptot)：300W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220FP
　　安装方式：通孔安装

Q6025N5RP采用ST的MDmesh? V超级结技术，显著降低了Rds(on)与Qg之间的折衷关系，使得器件在高电压应用中实现更低的导通和开关损耗。这种结构通过精确控制P型和N型外延层的掺杂分布，形成均匀电场分布，提升击穿电压的同时减小导通电阻。该MOSFET具有非常低的每单位面积导通电阻，使其在相同封装下比传统MOSFET承载更高的电流能力。
　　器件具备出色的动态性能，输入和输出电容较小，有助于减少高频开关过程中的能量损失，提高电源系统的整体效率。同时，其快速的开关速度配合较低的反向恢复电荷（Qrr），有效降低了体二极管在硬开关电路中的损耗，避免了因电流回流引起的过热问题。这对于LLC谐振转换器、有源钳位反激式变换器等拓扑尤为重要。
　　Q6025N5RP还表现出卓越的热稳定性与长期可靠性。经过严格的老化测试和雪崩测试，其能够承受多次重复的非钳位电感开关事件，确保在异常工况下不发生永久性损坏。此外，器件的栅氧化层质量高，抗dv/dt能力较强，可防止误触发，提升系统安全性。
　　该MOSFET的TO-220FP封装提供了良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热片上以实现高效的热管理。无铅且符合RoHS指令的设计也满足现代绿色电子产品的要求。综合来看，Q6025N5RP是一款面向中高端电源市场的高性能功率MOSFET，适用于追求小型化、高效率和高可靠性的电力电子设备。

Q6025N5RP广泛用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。常见用途包括AC-DC电源适配器、服务器电源单元（PSU）、电信整流模块以及工业用DC-DC转换器前端主开关管。其600V耐压等级和25A电流能力使其成为PFC（功率因数校正）升压级的理想选择，特别是在连续导通模式（CCM）PFC电路中表现优异，能够有效降低传导损耗并提升系统PF值。
　　在LED照明领域，尤其是大功率户外LED驱动电源中，Q6025N5RP可用于隔离式反激或半桥拓扑结构中作为主控开关元件，提供稳定的能量传输并延长灯具使用寿命。其快速开关特性有助于实现高调光精度和低闪烁水平。
　　此外，该器件也被应用于太阳能微型逆变器和储能系统的直流侧开关模块，利用其低损耗特性最大化能量转化效率。在家用电器如空调、洗衣机和变频微波炉的电机控制板中，Q6025N5RP常被用作IPM（智能功率模块）外部辅助电源或独立驱动电路的核心开关器件。
　　由于具备较强的抗噪声能力和温度稳定性，它同样适用于工业电机驱动、焊机电源和不间断电源（UPS）等恶劣环境下的电力控制场合。总体而言，任何要求高能效、长寿命和紧凑布局的600V级功率转换系统均可考虑采用Q6025N5RP作为关键开关元件。

STW20NK60Z
　　STB20NM60ND
　　SPW20N60CFD
　　IPP60R190P7XKSA1