时间：2025/9/12 14:46:04
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KTB778 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电源管理系统等应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：最大40mΩ（Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
KTB778的主要特性包括低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高系统效率。
该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合高功率密度应用。同时，KTB778的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4V至20V之间工作，使其兼容多种驱动电路设计。
其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在异常工况下的可靠性，适用于工业控制、电源适配器、电池充电器等对可靠性要求较高的应用场合。
KTB778广泛应用于各种电源管理设备和系统中，包括但不限于AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、LED照明驱动电源以及电池管理系统。其高效率和良好的热稳定性也使其成为许多工业自动化设备和消费类电子产品中的首选功率MOSFET。
TK11A60D, IRFZ44N, FDP6676, SiHHK20N60CF
