时间：2025/12/28 12:44:04
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Q6016RH2 是一款由STMicroelectronics制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器和各种高功率电子设备中。该器件采用了先进的制造工艺，确保了高效的电流传导能力和优异的热稳定性。该MOSFET采用TO-220封装，适合多种工业和消费类应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：16A
最大漏极电压（VDSS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+175°C
Q6016RH2具有低导通电阻，使其在高电流应用中具备更低的功率损耗和更少的热量产生。其先进的制造工艺确保了良好的热管理性能，从而提高了器件的可靠性和寿命。
该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，能够显著提高系统效率。
此外，Q6016RH2在极端温度下仍能保持稳定工作，适应工业级和汽车级应用的需求。其封装设计便于安装和散热，适合多种PCB布局环境。
Q6016RH2常用于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制部分。此外，它也适用于消费类电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能充电器中。
IRFZ44N, FDPF6030AL, STP16NF60, FQA16N60
