类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：40V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：25A
　　脉冲漏极电流(IDM)：100A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：典型值9.8mΩ，最大值13.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：典型值13mΩ，最大值18mΩ
　　阈值电压(VGS(th))@ID=250μA：最小值1.0V，典型值1.5V，最大值2.3V
　　输入电容(Ciss)@VDS=20V：约2200pF
　　输出电容(Coss)@VDS=20V：约600pF
　　反向恢复时间(trr)：约24ns
　　二极管正向电压(VSD)@IS=25A：约1.1V
　　功耗(PD)@TA=25°C：约100W
　　工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerDI5060-6L (TOLL)

Q4025K6TP采用先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构通过优化单元密度和电场分布，在保证高电流承载能力的同时显著降低了导通电阻。其低RDS(on)特性使得在大电流应用场景下，如同步整流或负载开关中，能够有效减少功率损耗并降低温升，从而提升系统整体能效。器件在VGS=10V条件下的RDS(on)最大值仅为13.5mΩ，即便在较高温度环境下也能维持稳定的导通性能。此外，该MOSFET支持4.5V逻辑电平驱动，兼容常见的PWM控制器输出，适用于由12V或5V电源供电的栅极驱动电路，提升了设计灵活性。
　　该器件具备优异的热性能，得益于PowerDI5060-6L封装底部大面积暴露的散热焊盘设计，可直接连接至PCB上的铜箔区域进行高效散热。相比传统TO-252或DPAK封装，TOLL封装在相同尺寸下提供了更低的热阻（典型θJA约为15°C/W），有助于实现更高的功率密度和更紧凑的电源模块设计。同时，封装内部引线采用铜夹片（Copper Clip）技术，减少了寄生电感和电阻，进一步提升了电流传输能力和高频开关表现。
　　Q4025K6TP还具备良好的动态特性，包括较低的输入和输出电容，这有助于减少开关过程中的电荷需求和能量损耗。其较快的开关速度配合短小的反向恢复时间（trr≈24ns），可有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰和交叉导通风险，特别适合用于半桥或全桥拓扑中的高端/低端开关。此外，器件经过严格测试，具备一定的单脉冲雪崩能量（EAS）承受能力，增强了在意外过压或电感突变情况下的鲁棒性。所有这些特性共同使Q4025K6TP成为高性能电源转换系统的理想选择。

Q4025K6TP广泛应用于需要高效能、高电流处理能力及小型化封装的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作主开关或同步整流器，特别是在服务器电源、通信电源和适配器设计中，其低导通电阻和优良热性能有助于实现高效率和高功率密度的目标。在DC-DC降压或升压转换器中，该MOSFET可作为上下桥臂开关使用，适用于多相VRM（电压调节模块）设计，满足CPU、GPU等高性能处理器的供电需求。
　　在电机驱动领域，Q4025K6TP可用于直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路中，其高电流承载能力和快速开关响应能够支持精确的速度与方向控制。此外，在电池管理系统（BMS）或电动工具、无人机、便携式储能设备中，该器件可作为充放电路径的主控开关，提供低损耗的导通通道，并支持保护机制如过流切断等功能。
　　在照明电源、LED驱动电源中，Q4025K6TP也可用于初级侧开关或次级侧整流，尤其在高亮度LED应用中，其稳定的工作特性和高温可靠性保障了长期运行的安全性。此外，该器件还可用于热插拔控制器、负载开关、OR-ing二极管替代等场合，凭借其集成体二极管和可控导通特性，能够取代传统肖特基二极管以减少压降和发热。综上所述，Q4025K6TP凭借其综合性能优势，已成为现代中等电压功率转换系统中的关键元件之一。

DMTH4025LK3Q Diodes Inc
　　SI7850DP-T1-GE3 Vishay
　　FDS4558 ON Semiconductor
　　IRLR2707 Infineon Technologies