时间：2025/12/26 22:09:25
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Q4016LH3是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，适用于高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，能够在高频开关条件下实现较低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。Q4016LH3广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等场景。其封装形式为PowerDI5060-8，是一种小型化、表面贴装的功率封装，有助于节省PCB空间并提升功率密度。该MOSFET设计符合RoHS环保标准，并具备良好的热性能，适合在紧凑型高功率密度设计中使用。此外，Q4016LH3还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态条件下的可靠性。
产品类型：MOSFET
通道类型：N沟道
漏源电压(VDSS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：16A
脉冲漏极电流(ID_pulse)：60A
导通电阻(RDS(on))：根据栅源电压不同分为多个档位，典型值在1.6mΩ至2.4mΩ之间（VGS=10V时）
阈值电压(Vth)：典型值1.5V，范围1.0V~2.5V
输入电容(Ciss)：典型值1900pF（VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz）
输出电容(Coss)：典型值650pF
反向传输电容(Crss)：典型值100pF
栅极电荷(Qg)：典型值30nC（VDS=20V, ID=8A, VGS=10V）
上升时间(tr)：典型值15ns
下降时间(tf)：典型值12ns
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装/外壳：PowerDI5060-8
Q4016LH3采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提升系统能效。其RDS(on)在VGS=10V时可低至1.6mΩ左右，即使在高负载条件下也能保持较低温升，有利于简化散热设计。该器件的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）经过优化，确保在高频开关应用中具有快速的开关响应能力和较低的驱动损耗，适用于现代高频率DC-DC变换器拓扑结构，如同步降压或升压转换器。
该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，PowerDI5060-8封装具有优异的热阻特性，结到环境的热阻（RθJA）在标准PCB布局下约为40°C/W，支持高效散热。器件内部结构设计考虑了电流均匀分布，减少了热点形成的风险，提升了长期运行的稳定性。此外，Q4016LH3具有较强的抗雪崩能力，能够在突发电压过冲或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。
在栅极驱动方面，Q4016LH3支持逻辑电平驱动（VGS≥4.5V即可充分导通），兼容常见的控制器输出，降低了驱动电路设计复杂度。其阈值电压适中，避免误触发的同时保证快速开启。电容参数（Ciss、Coss、Crss）经过平衡设计，在减少开关噪声和电磁干扰（EMI）方面表现良好。同时，该器件通过AEC-Q101车规级可靠性认证，适用于汽车电子中的辅助电源、LED驱动和车载充电模块等对可靠性要求较高的场合。
Q4016LH3主要应用于需要高效、高电流开关能力的电源管理系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、笔记本电脑适配器和通信设备电源模块中作为主开关或整流元件使用。由于其低RDS(on)和优良的热性能，也常用于电池供电系统中的负载开关或热插拔控制电路，有效降低压降和功耗。
在电机驱动领域，Q4016LH3可用于H桥或半桥拓扑中的低端或高端开关，驱动直流电机或步进电机，尤其适用于便携式电动工具、无人机电调和家用电器控制板等对体积和效率有要求的设计。此外，该器件还可用于ORing电路、逆变器和LED恒流驱动电源中，提供可靠的开关控制功能。
得益于其车规认证和稳定性能，Q4016LH3也被广泛用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统电源、车身控制模块（BCM）、车灯驱动和ADAS传感器供电单元。其小型化封装有利于在空间受限的车载环境中实现高集成度设计。
DMG1016UFG-7
SI4123DY-T1-GE3
FDMC86168
