DMP3010LK3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用PDFN33-8封装形式。该器件适用于多种开关和功率管理应用场合,具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其主要特点包括出色的热性能、高电流处理能力和紧凑的尺寸,这使得它在空间受限的设计中表现尤为突出。
该MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备、计算机及外设、工业控制等领域中的负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等电路中。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:10A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷:9nC
总电容(输入电容):1450pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:PDFN33-8
DMP3010LK3具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高效率。
2. 高电流承载能力,能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关特性,减少了开关损耗。
4. 小巧的PDFN33-8封装设计,节省了印刷电路板上的空间。
5. 较宽的工作温度范围,确保在各种环境下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子产品设计。
该MOSFET的应用领域非常广泛,主要包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 各类负载开关应用,例如移动设备和平板电脑。
4. 电池保护电路,用于防止过充或过放。
5. 电机驱动电路,支持小型直流电机的高效运转。
6. 电信和网络设备中的电源管理模块。
7. 计算机主板及外设的供电切换。
DMP3020LE3, IRF7843, AO3400