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Q4006RH3 发布时间 时间:2025/12/26 23:33:00 查看 阅读:14

Q4006RH3是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率、高频开关场景。该器件采用先进的沟槽技术制造,能够在低导通电阻和高电流承载能力之间实现良好平衡,同时具备出色的热稳定性和可靠性。Q4006RH3的封装形式为TO-252(DPAK),是一种表面贴装型功率封装,适合自动化生产,并具有良好的散热性能。该MOSFET设计用于在40V的漏源电压下工作,最大连续漏极电流可达60A,适用于中等功率级别的应用场合。其栅极阈值电压较低,通常在2V至4V之间,能够兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号,便于与微控制器、PWM控制器等驱动电路直接接口。此外,Q4006RH3内置了快速恢复体二极管,有助于在感性负载切换时提供反向电流路径,减少电压尖峰和电磁干扰。由于其高性能参数和坚固的封装设计,Q4006RH3常被用于工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子等领域。器件符合RoHS环保要求,并通过了多项国际安全与可靠性认证,确保在严苛环境下的长期稳定运行。

参数

型号:Q4006RH3
  制造商:Diodes Incorporated
  晶体管类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):40V
  漏极电流(ID)@25°C:60A
  漏极脉冲电流(IDM):240A
  导通电阻(RDS(on))@4.5V VGS:1.8mΩ(最大)
  导通电阻(RDS(on))@10V VGS:1.6mΩ(最大)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V
  输入电容(Ciss):约7000pF @ VDS=20V
  输出电容(Coss):约2200pF @ VDS=20V
  反向恢复时间(trr):约30ns
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  存储温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装/外壳:TO-252 (DPAK)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

Q4006RH3采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,这种结构能够显著降低单位面积的导通电阻,从而提升整体能效并减少发热。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平,在VGS=10V条件下可低至1.6mΩ,这意味着在大电流应用中能够有效减少功率损耗,提高系统效率。例如,在60A满载情况下,导通损耗仅为I2×R = (60)^2 × 0.0016 = 5.76W,这对于紧凑型电源设计至关重要。
  该器件具备优异的热性能,得益于TO-252封装良好的热传导设计,结到外壳的热阻(RθJC)约为0.4°C/W,配合适当的PCB铜箔散热设计,可以实现有效的热量管理,避免因过热导致性能下降或损坏。此外,Q4006RH3的工作结温高达+175°C,表明其可在高温环境下长时间稳定运行,适用于如车载电子或工业设备等对温度要求较高的应用场景。
  Q4006RH3还具备较强的抗雪崩能力和高dv/dt耐受性,增强了在瞬态负载变化或短路情况下的鲁棒性。其栅极氧化层经过优化处理,提高了抗静电击穿(ESD)能力,典型HBM等级可达±2000V以上,进一步提升了现场使用的可靠性。同时,器件的电容参数经过精心匹配,输入电容和反馈电容较小,有利于减少驱动功耗和开关延迟,使其非常适合高频开关应用,如同步整流、半桥/全桥拓扑中的主开关管。
  另外,Q4006RH3支持快速开关操作,开关时间(开启和关闭)均在几十纳秒量级,结合低栅极电荷(Qg典型值约90nC @ VGS=10V),使得驱动电路设计更为简便且高效。这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案,特别适合追求小型化、高效率和高功率密度的设计需求。

应用

Q4006RH3因其高电流能力、低导通电阻和良好的热稳定性,广泛应用于多种电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS),尤其是在同步整流架构中作为低压侧或高压侧开关使用,以替代传统的肖特基二极管,大幅提高转换效率并降低温升。在DC-DC降压变换器(Buck Converter)中,它可作为主开关管或同步整流管,适用于服务器电源、笔记本电脑适配器、电信设备供电模块等需要高效能量转换的场合。
  在电机控制系统中,Q4006RH3可用于H桥或半桥驱动电路,控制直流电机或步进电机的正反转与调速,其快速开关特性有助于实现精确的PWM控制。此外,该器件也适用于电池管理系统(BMS)中的充放电开关控制,利用其低RDS(on)减少能量损耗,延长电池续航时间。
  在汽车电子领域,Q4006RH3可用于车载充电器、LED照明驱动、风扇控制模块等子系统,满足汽车级工作温度和可靠性的要求。工业自动化设备中的固态继电器、电磁阀驱动、电源分配单元等也是其典型应用场景。
  此外,Q4006RH3还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能微型逆变器以及便携式储能设备中的功率切换环节。其表面贴装封装形式便于自动化组装,适合大规模生产,同时节省空间,有助于实现设备的小型化和轻量化设计。无论是在消费类电子产品还是工业级设备中,Q4006RH3都展现出卓越的适应性和性能优势。

替代型号

IRF1404ZPbF
  MP4006G3-LF-Z
  AUIRF1404S

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Q4006RH3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 双向可控硅类型可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态400 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值)6 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值)1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)80A,85A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值)10 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值)15 mA
  • 配置单路
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220AB