容量：256K x 16位
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　数据宽度：16位
　　功耗：典型值为100mA（待机模式下低于10mA）
　　时钟频率：最大支持20MHz异步操作

TX18D16VM1CAA SRAM芯片具有多项高性能特性，首先其高速访问时间（55ns）使得该芯片能够满足高性能嵌入式系统和数据缓冲应用的需求。其次，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了其在不同电源条件下的兼容性，适用于多种电源设计环境。
　　此外，TX18D16VM1CAA采用了低功耗CMOS技术，在工作模式下保持较低的电流消耗，在待机模式下电流消耗更低至10mA以下，非常适合对功耗有严格要求的便携式和电池供电设备。
　　其TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，适用于高密度电路板布局。工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在工业级温度环境下稳定运行，广泛适用于各种恶劣环境下的电子设备。
　　该芯片还具备异步控制信号，能够与多种主控芯片或微处理器无缝对接，简化系统设计并提升整体性能。此外，其16位的数据宽度设计，可以提供较大的数据吞吐能力，适用于高速缓存、图像处理和数据缓冲等应用。

TX18D16VM1CAA SRAM芯片主要应用于需要高速、低功耗和大容量存储的场景。常见的应用包括工业控制系统、通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统、图像处理模块、医疗设备、测试仪器以及各种便携式电子产品。由于其宽温范围和高可靠性，该芯片也广泛用于车载电子设备和工业自动化设备中。

TX18D16VM1CAI, CY7C1380D-55BZC, IDT71V416SA553BQI, IS61WV25616BLL-55BLI