时间：2025/8/12 10:11:50
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Q3236I 是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款晶体管广泛用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统中。Q3236I采用了先进的沟槽技术，提供了优异的导通电阻和热性能，能够在高电流条件下保持稳定的工作状态。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
Q3236I的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，不仅优化了导通性能，还提升了热稳定性，使其能够在高负载环境下可靠运行。
此外，Q3236I的封装设计具有良好的散热性能，有助于将工作过程中产生的热量快速散发，从而延长器件的使用寿命。其额定漏源电压为30V，栅源电压范围为±20V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。
该器件还具备优异的开关特性，能够在高频应用中实现快速开关，减少开关损耗，提高系统响应速度。这种特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器和开关电源等应用。
Q3236I的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，使其能够在极端温度环境下保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的场合。
Q3236I常用于需要高效功率管理的电路中。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及电池供电设备中的功率控制模块。此外，由于其优异的热性能和高频响应，Q3236I也适用于高性能电源管理和工业自动化设备中的功率控制部分。
SiSS236DN, SQ3236A, IPB063N04NG
