类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏-源电压（VDS）：50V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5毫欧（典型值约4.8毫欧）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6或TO-220
　　栅极电荷（Qg）：约80nC（典型值）
　　漏极-源极击穿电压：50V
　　功耗（PD）：200W

Q2334C50N MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，从而实现了极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的封装设计提供了良好的热管理能力，使其能够在高电流条件下稳定运行。其快速开关能力降低了开关损耗，适用于高频率开关操作。此外，Q2334C50N具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。该器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　Q2334C50N还具备优异的热稳定性，其封装设计有助于迅速将热量传导至散热器或PCB板上，从而保证在高功率应用中的长期可靠性。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，适用于多种控制电路设计。

Q2334C50N广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　? 高效率DC-DC降压/升压转换器
　　? 电动工具和电动车辆中的电机驱动电路
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电源管理模块和负载开关
　　? 工业自动化设备中的电源控制
　　? 服务器和计算机电源供应器
　　? 逆变器和UPS（不间断电源）系统

STL180N5F7AG | IRF180N50C | IPP180N50C | SQHF180N