类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

KDS174具备多个优良的电气和物理特性，使其在众多MOSFET中脱颖而出。首先，它的最大漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源转换和控制电路。其次，漏极电流额定值为10A，结合其较低的导通电阻（典型值为0.35Ω），能够在导通状态下保持较低的功率损耗，提高整体效率。
　　KDS174的栅极阈值电压在2V至4V之间，适合多种驱动电路设计，尤其是与常见的逻辑电平控制器（如微处理器或PWM控制器）配合使用。该器件的高开关速度有助于减少开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关应用。
　　此外，KDS174采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或PCB板上，确保在高负载条件下稳定工作。其最大功耗为60W，适用于需要较高功率处理能力的电路设计。
　　该MOSFET的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子、消费类电源等多种应用领域。

KDS174广泛应用于多种电子设备和系统中。首先，在开关电源（SMPS）中，它常用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及同步整流电路中，利用其低导通电阻和高开关速度来提高电源效率。
　　其次，在电机驱动和继电器控制电路中，KDS174作为高边或低边开关，用于控制直流电机、步进电机或其他负载的通断，其高电流承载能力和良好的热稳定性确保了系统在频繁开关操作下的可靠性。
　　此外，该器件也常见于LED驱动电路、电池充电器、逆变器和UPS系统中，作为功率开关使用。在工业自动化和家电控制板中，KDS174也用于控制加热元件、风扇、电磁阀等执行器。
　　由于其良好的性能和通用性，KDS174也广泛用于实验开发、原型设计和教育用途，是电子工程师在功率电路设计中的常用选择。

IRF540N, FQP10N10L, STP10NK10Z, IRLZ44N