类型：NOR Flash
　　容量：128 Mbit (16 MB)
　　接口类型：Serial Quad SPI / QPI
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高104 MHz
　　读取电流：典型值 8 mA
　　待机电流：典型值 1 μA
　　编程时间：页编程典型 0.7 ms
　　擦除时间：扇区擦除 300 ms，芯片擦除 40 s
　　封装形式：WSON8 或 SOIC8（具体以 datasheet 为准）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　写耐久性：100,000 次编程/擦除周期
　　数据保持时间：10 年以上

Q22FA12800025具备出色的性能与可靠性，专为要求严苛的嵌入式应用而设计。其核心特性之一是支持多种SPI工作模式，包括标准SPI、Dual Output/Dual IO、Quad Output/Quad IO以及QPI高速指令模式，允许用户根据系统主控的能力灵活配置通信方式，在保证高速数据吞吐的同时降低信号线数量，节省PCB空间和成本。该芯片支持高达104MHz的时钟频率，并可在DDR模式下进一步提升有效带宽，满足对实时启动和代码执行速度有高要求的应用场景，例如路由器固件加载、车载信息娱乐系统启动或工业PLC程序运行。
　　另一个关键特性是其内置的高级安全与保护功能。Q22FA12800025提供可编程的状态寄存器，支持按扇区或整片的写保护设置，防止误操作导致的关键代码损坏。它还具备软件和硬件两种写保护机制，可通过WP#引脚实现硬件级锁定，确保在上电、掉电或异常重启过程中不会发生非法写入。此外，芯片支持深度休眠模式，此时电流消耗可降至微安级别，非常适合电池供电或低功耗物联网设备使用。
　　该器件采用小型化封装（如8引脚WSON或SOIC），便于在紧凑型电路板上布局，同时具备良好的热稳定性与抗干扰能力。其制造工艺基于成熟的浮动栅极技术，确保了超过10万次的擦写寿命和长达10年的数据保存能力，即使在恶劣的工业或汽车环境中也能长期稳定运行。所有内部操作均由片上定时器自动管理，无需外部干预，简化了系统设计复杂度。

Q22FA12800025因其高性能、小体积和高可靠性，被广泛用于各类需要快速启动和安全存储的电子系统中。在通信设备领域，它常用于存储路由器、交换机和基站的固件映像，支持XIP（eXecute In Place）功能，使处理器可以直接从闪存中执行代码，显著缩短启动时间并减少对外部RAM的依赖。在汽车电子方面，该芯片可用于存储车载T-Box模块、仪表盘控制器、ADAS系统的配置参数或引导程序，满足AEC-Q100可靠性标准的部分要求，适应车辆在极端温度下的长时间运行。
　　在工业自动化控制系统中，Q22FA12800025可用于PLC、HMI人机界面、远程I/O模块等设备中，用于保存用户程序、校准数据或日志信息，其高耐用性和抗干扰能力保障了工厂环境下的稳定运行。消费类电子产品如智能电视、机顶盒、打印机和智能家居网关也普遍采用此类串行NOR Flash来存储启动代码和操作系统内核。
　　此外，在物联网终端设备中，由于Q22FA12800025支持低功耗待机模式且具备快速唤醒能力，因此非常适合用于传感器节点、无线模块（如Wi-Fi/BLE模组）和边缘计算设备中，兼顾能效与响应速度。医疗设备、测试仪器和航空电子系统等对数据完整性要求较高的领域，也会选用该类高品质NOR Flash以确保关键数据的安全性和持久性。

MX25L12833FZNI-10G
　　W25Q128JVSIQ
　　S25FL128SAGBHI20
　　EN25QH128B