时间：2025/7/16 17:05:57
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2SK389-V 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及功率放大器等领域。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压、高效率等优点，适合在高频率开关条件下工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：9A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.85Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
2SK389-V MOSFET采用了先进的平面硅技术，提供了出色的导通性能和开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在高压应用中的可靠性。
这款MOSFET的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合于各种功率电子设备。由于其高耐压能力（500V）和较强的电流承载能力（9A），2SK389-V能够在较为严苛的环境下稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用多种类型的驱动电路。同时，它的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。2SK389-V还具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下保持稳定性能。
2SK389-V 主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动与控制、功率放大器、LED照明驱动电路、逆变器和UPS系统等。其高耐压和高电流特性也使其在工业自动化设备和消费类电子产品中广泛应用。
2SK1317, 2SK1530, 2SK2141, IRFBC30
