工作电压：3.0 V 至 24 V
　　工作电流：典型值 5 mA
　　输出类型：开漏 N 沟道 MOSFET
　　磁感应强度（Bop）：典型值 35 Gauss
　　释放磁感应强度（Brp）：典型值 25 Gauss
　　回差（Bhys）：典型值 10 Gauss
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　响应时间：典型值 1 μs
　　输出饱和电压：最大值 0.4 V @ Iout = 10 mA
　　静态电流：典型值 4 mA
　　EMI 性能：优异，无需外部滤波电容
　　ESD 耐受能力：±2 kV（HBM）

Q2008F41的核心特性之一是其高灵敏度与精确的磁开关阈值控制。该器件采用了先进的CMOS霍尔技术，在保证低功耗的同时实现了对微弱磁场变化的快速响应。其磁感应点Bop和释放点Brp经过精密校准，确保在各种工作条件下都能提供一致且可靠的开关行为。施密特触发器设计引入了约10 Gauss的磁滞（Bhys），有效防止了在临界磁场附近出现输出抖动现象，提升了系统的稳定性与抗噪声能力。
　　该传感器支持宽电压供电范围（3–24 V），使其能够兼容多种电源系统，包括5 V逻辑系统和12 V或24 V工业控制系统，无需额外的稳压电路即可直接接入使用。开漏输出结构允许用户灵活配置上拉电阻至任意逻辑电平，方便与不同类型的微控制器、PLC或数字输入模块接口连接。
　　Q2008F41具备出色的温度稳定性，可在-40°C至+150°C的极端温度范围内正常工作，适用于汽车引擎舱、工业电机、家电高温部件等严苛环境。器件内部集成了多项保护机制，包括反向电源连接保护、输出短路保护以及过热关断功能，显著提高了在复杂电磁环境下的鲁棒性。
　　得益于微型SOT-23封装，Q2008F41占用PCB面积小，适合高密度布局设计。同时，其高频响应能力（响应时间仅1μs）使其可用于高速旋转检测应用，如电机转速监控、编码器反馈等。整个芯片设计无需外部元件即可工作，降低了整体BOM成本并简化了设计流程。此外，该器件通过AEC-Q101车规认证，表明其可靠性达到汽车级标准，可广泛用于车载系统中的位置与运动检测。

Q2008F41广泛应用于多个领域，尤其在需要非接触式位置与速度检测的场合表现突出。在汽车行业中，常用于变速箱档位检测、油门踏板位置感应、车门/后备箱开合状态监测以及ABS轮速传感系统，其高可靠性和宽温特性完美适应车载环境。
　　在工业自动化领域，该器件被用于液位检测、气缸活塞位置识别、传送带运动监控和安全联锁装置中，替代传统机械开关，大幅提高系统寿命与维护间隔。在家用电器方面，Q2008F41可用于洗衣机盖检测、洗碗机门锁确认、智能马桶盖位置感应以及风扇电机转速反馈，提升产品智能化水平与用户体验。
　　此外，它也适用于消费类电子产品中的翻盖手机或平板电脑的休眠唤醒功能、电动工具启停控制、无人机桨叶折叠检测等创新应用场景。由于其开漏输出兼容性强，可轻松接入各类MCU GPIO端口，配合磁铁实现精准的位置判断。在电机控制中，多个Q2008F41可组成阵列用于无刷直流电机（BLDC）的换相检测，为电子调速器提供准确的转子位置信息。总体而言，该器件凭借其高集成度、稳定性能和广泛适用性，已成为现代智能感知系统中不可或缺的关键元件。

SS41F
　　OH3144E
　　ME58C
　　HAL110
　　US1881