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TISP4250M3BJ 发布时间 时间:2025/8/6 22:42:15 查看 阅读:25

TISP4250M3BJ 是由STMicroelectronics生产的一款双极性瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和其他瞬态电压的损害。该器件采用SOT-23-6封装,适用于各种通信接口、消费类电子产品和工业控制系统。TISP4250M3BJ具有低钳位电压、快速响应时间和高可靠性,是一种理想的电路保护元件。

参数

工作电压: 5.0 V
  最大反向工作电压: 5.5 V
  钳位电压(Ipp): 13.3 V(典型值)
  峰值脉冲电流(Ipp): 20 A(8/20 μs波形)
  响应时间: < 1 ns
  封装类型: SOT-23-6

特性

TISP4250M3BJ的主要特性包括其双极性设计,可以同时保护正负方向的瞬态电压;低钳位电压,确保在发生瞬态事件时对后级电路的损害最小化;极快的响应时间,能够在纳秒级别内响应瞬态电压,提供即时的保护。此外,该器件具有较高的浪涌承受能力,能够承受多次瞬态事件而不会失效。其SOT-23-6封装设计使得该TVS二极管非常适合在空间受限的应用中使用,同时具备良好的热稳定性和长期可靠性。
  该器件的内部结构包括两个对称的TVS二极管,分别连接到公共端和接地端,形成一个双向保护电路。这种设计不仅提高了保护性能,还简化了PCB布局。TISP4250M3BJ还具有低漏电流特性,在正常工作条件下对电路的影响非常小。

应用

TISP4250M3BJ广泛应用于需要高可靠性和高保护性能的电子系统中,如USB接口、HDMI端口、RS-485通信接口、工业自动化设备、消费类电子产品(如智能手机和平板电脑)以及汽车电子系统。在这些应用中,TISP4250M3BJ可以有效防止由于静电放电、电感负载切换和雷击引起的瞬态电压对电路的损害,从而提高系统的整体稳定性和寿命。

替代型号

TCLAMP4252BDDCR、TLC3300A1QDBVRQ1

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