时间：2025/8/13 0:37:49
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Q1900C-1S3 是一款由 IXYS 公司生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高功率应用设计。这款模块集成了一个N沟道MOSFET和一个快速恢复二极管，适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动和工业自动化设备。Q1900C-1S3 采用 TO-247 封装，具备良好的热管理和电气性能。
类型：MOSFET模块
晶体管类型：N沟道MOSFET + 快速恢复二极管
最大漏极电流（ID）：190A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 4.2mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
Q1900C-1S3 的主要特性之一是其高电流能力，最大漏极电流可达190A，使其适用于高功率密度设计。该模块的低导通电阻（RDS(on)）仅为4.2mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，Q1900C-1S3 集成了一个快速恢复二极管，能够有效减少反向恢复损耗，提高开关性能。
该模块的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，确保了在各种环境条件下都能稳定运行。TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，帮助器件在高负载情况下保持较低的结温，从而延长使用寿命。
Q1900C-1S3 的另一个重要特性是其高耐压能力，最大漏源电压为100V，栅源电压为±20V，能够在高压环境下保持稳定的性能。该模块还具备良好的短路保护能力和热稳定性，适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
Q1900C-1S3 主要应用于高功率电子系统中，如DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电动汽车的电源管理系统。由于其高电流能力和低导通电阻，Q1900C-1S3 在需要高效能和高可靠性的电源转换系统中表现出色。
在电机驱动应用中，Q1900C-1S3 可以提供高效的功率开关功能，减少能量损耗并提高电机控制精度。在DC-DC转换器中，该模块的快速恢复二极管能够减少反向恢复损耗，提高转换效率。此外，Q1900C-1S3 也适用于需要高可靠性的工业控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器。
IXFN190N10T, IXTH190N10D2
