Q0270R 时间：2025/12/29 14:20:23 阅读：15

Q0270R 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率晶体管，属于 NPN 型晶体管。该晶体管适用于中高功率的放大和开关应用，广泛用于电源管理、马达控制、工业自动化和消费类电子产品中。Q0270R 的设计使其能够承受较高的电压和电流负载，同时具备较低的饱和电压（Vce_sat），从而减少功耗并提高整体效率。

参数

类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：80 V
　　最大集电极电流（Ic）：4 A
　　最大功率耗散（Ptot）：30 W
　　电流增益（hFE）：500 - 60000（根据不同的工作条件）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　集电极-基极电压（Vcbo）：100 V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5 V

特性

Q0270R 具备多项优良的电气和物理特性，使其在各种应用中表现出色。首先，其高集电极-发射极击穿电压（Vceo）达到 80 V，使其能够在较高电压环境下稳定运行，适用于多种电源管理场景。其次，该晶体管的最大集电极电流为 4 A，能够支持较大的负载电流，适合用于驱动电机、继电器和 LED 显示屏等高功率设备。
　　Q0270R 还具有较低的饱和电压（Vce_sat），在高电流工作状态下能有效降低功耗，减少热量产生，从而提高系统的整体效率。此外，该晶体管的最大功率耗散为 30 W，结合其 TO-220 封装形式，具备良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定工作。
　　其 hFE（电流增益）范围较宽，从 500 到 60,000 不等，具体数值取决于工作条件，这使得 Q0270R 在不同放大和开关电路中都能灵活应用。同时，晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，表明其在极端环境条件下仍能保持良好的性能和可靠性。
　　由于其封装形式为 TO-220，Q0270R 易于安装在散热片上，进一步增强其散热能力。这种封装形式也便于在 PCB 上进行焊接和布局，适合大规模生产和使用。