RHFL4913KP251 时间：2025/7/22 19:29:09 阅读：8

RHFL4913KP251是Renesas Electronics（瑞萨电子）公司推出的一款高性能射频功率晶体管（RF Power Transistor），主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高效率、高增益和良好的热稳定性，适用于通信基础设施、工业设备和广播系统等领域。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率范围：2 GHz ~ 2.7 GHz
　　输出功率：13 W（典型值）
　　增益：约20 dB（典型值）
　　漏极效率：约60%
　　电源电压：28 V
　　封装类型：表面贴装（SMD），KP-251封装
　　输入和输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C

特性

RHFL4913KP251采用先进的LDMOS工艺制造，具有出色的射频性能和稳定性。其主要特性包括高输出功率、高增益和高效率，适用于高频段的无线通信系统。该晶体管具有良好的线性度和热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。KP-251封装设计优化了散热性能，支持高功率密度的应用需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计。

应用

RHFL4913KP251广泛应用于无线基础设施设备，如基站放大器、工业射频加热系统、广播发射机和其他高功率射频设备。它特别适用于2 GHz至2.7 GHz频段的通信系统，包括4G LTE基站、WiMAX系统和DVB-T广播设备。由于其高效率和良好的热稳定性，该晶体管也可用于需要高可靠性和长寿命的工业和通信应用。