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RHFL4913KP251 发布时间 时间:2025/7/22 19:29:09 查看 阅读:5

RHFL4913KP251是Renesas Electronics(瑞萨电子)公司推出的一款高性能射频功率晶体管(RF Power Transistor),主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具有高效率、高增益和良好的热稳定性,适用于通信基础设施、工业设备和广播系统等领域。

参数

类型:LDMOS RF功率晶体管
  工作频率范围:2 GHz ~ 2.7 GHz
  输出功率:13 W(典型值)
  增益:约20 dB(典型值)
  漏极效率:约60%
  电源电压:28 V
  封装类型:表面贴装(SMD),KP-251封装
  输入和输出阻抗:50 Ω
  工作温度范围:-40°C ~ +150°C

特性

RHFL4913KP251采用先进的LDMOS工艺制造,具有出色的射频性能和稳定性。其主要特性包括高输出功率、高增益和高效率,适用于高频段的无线通信系统。该晶体管具有良好的线性度和热管理能力,能够在高温环境下稳定工作。KP-251封装设计优化了散热性能,支持高功率密度的应用需求。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品的设计。

应用

RHFL4913KP251广泛应用于无线基础设施设备,如基站放大器、工业射频加热系统、广播发射机和其他高功率射频设备。它特别适用于2 GHz至2.7 GHz频段的通信系统,包括4G LTE基站、WiMAX系统和DVB-T广播设备。由于其高效率和良好的热稳定性,该晶体管也可用于需要高可靠性和长寿命的工业和通信应用。

替代型号

MRF6VP20300N, NXP的LDMOS晶体管
  RF3168,来自RFMD(Qorvo)的同类产品
  CMC2013D,Cree(Wolfspeed)的碳化硅(SiC)射频晶体管替代方案

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