PZU5.6BA,115 时间：2025/9/14 7:17:51 阅读：10

PZU5.6BA,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和过压保护电路中。该器件采用SOD323封装，具有体积小、响应速度快、稳定性和可靠性高等优点。齐纳二极管能够在反向击穿区域保持电压稳定，因此广泛应用于电源管理、信号调节和保护电路中。

参数

类型：齐纳二极管
　　最大齐纳电压（Vz）：5.6 V
　　最大齐纳电流（Izmax）：300 mA
　　最小齐纳电压（Vz@Izmin）：5.3 V
　　最大齐纳阻抗（Zz）：10 Ω
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD323
　　功率耗散（Ptot）：300 mW

特性

PZU5.6BA,115 作为一款高性能齐纳二极管，具备多项优良特性。其主要特点包括稳定的齐纳电压、低动态阻抗和快速响应时间。该器件的齐纳电压为5.6 V，在反向击穿状态下能够维持电压恒定，适用于高精度的电压调节应用。齐纳电压的容差范围较窄，确保了其在关键电路中的可靠性。
　　此外，PZU5.6BA,115 的最大功率耗散为300 mW，能够在有限的功耗条件下提供稳定的电压输出。其SOD323封装形式不仅节省空间，而且便于在表面贴装工艺中使用，适合高密度PCB布局。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度，提升了器件在复杂环境中的可靠性。

应用

PZU5.6BA,115 主要用于需要稳定电压参考的电路中，如电压调节器、电源监控、过压保护和信号调节电路。由于其齐纳电压为5.6 V，该器件特别适用于TTL和CMOS逻辑电路的电源稳压，以及精密模拟电路中的基准电压源。在工业控制、消费电子和汽车电子系统中，它也常用于保护敏感元件免受电压浪涌和静电放电（ESD）的损害。