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PZU4.3B3,115 发布时间 时间:2025/9/14 6:39:13 查看 阅读:27

PZU4.3B3,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和过压保护应用。该器件属于表面贴装封装(SOD323),具有较小的封装尺寸,适用于对空间要求较高的电子设备。PZU4.3B3,115 的齐纳电压为4.3V,适用于低电压稳压需求,例如在便携式电子设备、通信模块和消费类电子产品中。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD323
  齐纳电压:4.3V
  功率耗散:300mW
  最大工作电流:100mA
  工作温度范围:-65°C 至 150°C
  存储温度范围:-65°C 至 150°C
  引脚数:2

特性

PZU4.3B3,115 齐纳二极管具有良好的电压稳定性能,适用于多种电子系统的电压调节需求。其SOD323封装形式适合表面贴装工艺,便于自动化生产,同时减小了PCB布局的空间占用。该器件的最大功率耗散为300mW,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的齐纳电压输出,适用于各种工业和消费类应用场景。此外,PZU4.3B3,115 提供良好的动态阻抗特性,确保在负载变化时仍能保持较好的电压调节精度。
  该齐纳二极管还具备良好的热稳定性和较低的温度系数,能够在不同环境条件下保持一致的性能。其快速响应能力使其适合用于过压保护电路,防止敏感电子元件受到电压波动的影响。此外,PZU4.3B3,115 的低漏电流特性也有助于提高电路的整体能效。

应用

PZU4.3B3,115 主要用于需要稳定4.3V电压的电路中,例如在电源管理模块、电池供电设备、电压参考源、模拟信号调节电路以及过压保护电路中。由于其小型封装和稳定性能,它也广泛应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。此外,该器件还可用于传感器电路、ADC参考电压源、逻辑电平转换器以及各种低功耗嵌入式系统中。

替代型号

PZU4.3B2,115, PZU4.3B1,115, BZX84C4V3

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PZU4.3B3,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)4.3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 1V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大310mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)90 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称PZU4.3B3115-CHP