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PZU3.3BA,115 发布时间 时间:2025/9/14 4:01:54 查看 阅读:5

PZU3.3BA,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),其主要功能是提供稳定的参考电压,常用于电压调节、过压保护以及基准电压源等电路中。该器件的标称齐纳电压为3.3V,适用于低电压稳压场合,特别是在需要高精度和高稳定性的电子系统中。PZU3.3BA,115采用SOT-23(TO-236AB)封装形式,具有良好的热稳定性和快速响应能力,适合在广泛的工业和消费类电子产品中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:3.3 V
  容差:±5%
  最大齐纳电流:200 mA
  功率耗散:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23(TO-236AB)
  引脚数:3
  极性:单向

特性

PZU3.3BA,115 的齐纳电压精度为±5%,确保了在低电压电路中提供可靠的电压参考。该器件的低动态阻抗有助于在负载变化时保持电压的稳定性,从而提高整个电路的性能。其SOT-23封装具有较小的体积和良好的散热性能,适合在空间受限的设计中使用。此外,PZU3.3BA,115具有较低的温度系数,能够在不同环境温度下维持稳定的电压输出,适用于对温度稳定性要求较高的应用。该器件的响应速度快,能够迅速抑制瞬态电压波动,提供有效的过压保护。
  由于其紧凑的封装和优异的电气特性,PZU3.3BA,115在便携式设备、电源管理模块、传感器接口电路、通信设备和工业控制系统中均有广泛应用。其高可靠性和长寿命也使其成为汽车电子和医疗设备中的理想选择。

应用

PZU3.3BA,115 主要用于以下应用场景:电压参考源,为ADC、DAC或其他模拟电路提供稳定基准电压;在低压直流电源中实现过压保护,防止电压波动对敏感电路造成损害;在电池管理系统中作为参考电压用于监测和调节电池电压;在传感器信号调理电路中提供稳定的偏置电压;在嵌入式系统和微控制器外围电路中作为电源监控和复位控制元件;此外,该器件还可用于通信设备中的电压调节和信号处理模块。

替代型号

PZU3.3BA,115 的替代型号包括 PZU3.3B、MM3Z3V3B、BZX84C3V3 和 ZMM3.3。这些型号在电气特性和封装上具有相似的性能指标,可以在设计中作为替代使用,但需根据具体应用需求核对其参数是否匹配。

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PZU3.3BA,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)3.3V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大320mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)95 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称934062471115