YDCLP200M 是一款高压、高电流能力的功率MOSFET模块,广泛用于电源管理、工业控制、电动汽车、电池管理系统以及其他需要高效功率转换的应用中。该模块采用先进的封装技术,提供了优异的热管理和电气性能,适用于高频率开关应用。
类型:功率MOSFET模块
最大漏源电压(Vds):200V
最大漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):约2.0mΩ
封装类型:双列直插式(DIP)或表面贴装(SMD)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
栅极驱动电压:10V 至 20V
短路耐受能力:有
封装材料:陶瓷或塑料绝缘材料
YDCLP200M 功率MOSFET模块具备多项先进特性,使其在高功率密度设计中表现出色。其低导通电阻(Rds(on))有效降低了导通损耗,提高整体效率。模块的高电流承载能力和优异的热管理设计使其能够在高温环境下稳定工作。
该器件采用高耐压工艺,确保在高压应用中具有良好的可靠性和稳定性。其栅极驱动电压范围较宽(10V 至 20V),便于与各种驱动电路兼容。此外,YDCLP200M 还具备较强的短路保护能力,提升了系统在异常情况下的安全性。
在封装方面,YDCLP200M 提供了多种安装方式,包括双列直插式(DIP)和表面贴装(SMD),适应不同的PCB布局和散热需求。其绝缘封装材料确保了电气隔离性能,适用于高电压隔离场合。
YDCLP200M 常用于需要高电压和大电流能力的功率转换系统中。典型应用包括电动汽车(EV)充电模块、电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器、工业电源、电机驱动器、UPS不间断电源、DC-DC转换器以及各种高功率开关电源设计。
在电动汽车中,该模块用于电池充放电控制、能量回收系统和电机驱动器中的功率开关元件,确保高效、稳定的能量传输。
在工业电源领域,YDCLP200M 被广泛应用于高效率电源转换系统,如服务器电源、通信设备电源和工业自动化控制系统,提供高可靠性和长使用寿命。
SiC MOSFET模块(如Cree/Wolfspeed的C2M0080120D)、Infineon的IPW60R045C7、STMicroelectronics的STP120N20K5、ON Semiconductor的NTMFS4C10N