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PZU11B1,115 发布时间 时间:2025/9/14 10:15:11 查看 阅读:7

PZU11B1,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压的应用。这款器件具有稳定的齐纳电压,适用于低功率电子电路中的稳压需求。PZU11B1,115 采用SOT-23封装,适合用于表面贴装技术(SMT)组装。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:11V
  容差:±5%
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-65°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-23
  引脚数:3

特性

PZU11B1,115 齐纳二极管具有优异的电压稳定性能,能够在一定的电流范围内保持输出电压的恒定。其±5%的电压容差确保了在实际应用中具备较高的精度和可靠性。该器件的低动态电阻有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性,因此非常适合用于电压参考和稳压电路。
  此外,PZU11B1,115 的最大耗散功率为300mW,使其能够在低功耗应用中安全运行。SOT-23封装形式不仅节省空间,还便于在PCB上进行自动化组装。该器件的广泛工作温度范围(-65°C至150°C)也使其适用于各种环境条件下的应用,包括工业控制和汽车电子系统。

应用

PZU11B1,115 主要用于需要稳定电压参考的电路中,如电源稳压电路、电压调节器、基准电压源、仪表测量电路、电池管理系统以及模拟和数字电子设备中的参考电压生成。它也常用于过压保护电路中,以确保系统在电压波动时的稳定性与安全性。

替代型号

PZU11B1,215; PZU11B1-11-F; 1N4742A-TAP

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PZU11B1,115参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)11V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大310mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称568-3854-6