您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMP6185SK3-13

DMP6185SK3-13 发布时间 时间:2025/7/11 21:37:26 查看 阅读:12

DMP6185SK3-13 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够在高频工作条件下提供高效且稳定的性能表现。
  此型号为 N 沟道增强型 MOSFET,封装形式通常为表面贴装类型(如 DPAK 或类似的优化散热封装),便于在紧凑型设计中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:2.5mΩ(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=9ns,toff=27ns
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

DMP6185SK3-13 提供了超低的导通电阻以减少传导损耗,同时具备快速的开关特性,适用于高频应用环境。其出色的热性能允许更高的功率密度,从而满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  此外,器件内置了防静电保护功能,并通过优化设计实现了更低的寄生电感,提高了系统的可靠性和抗干扰能力。
  DMP6185SK3-13 的封装设计确保了良好的散热路径,进一步提升了其在大电流和高温工况下的稳定性。这些特点使得该器件成为众多功率转换应用的理想选择。

应用

开关电源中的同步整流
  DC-DC转换器中的功率开关
  电机驱动电路中的功率级
  负载切换和保护电路
  电池管理系统中的功率路径控制

DMP6185SK3-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMP6185SK3-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥4.85000剪切带(CT)2,500 : ¥2.06612卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)708 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63