时间：2025/6/20 8:38:25
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SI7442DR是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用TrenchFET? Gen III技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和负载切换应用。其小型化的封装设计使得它在空间受限的应用中非常有用，同时它的高效率和低损耗特性也使其成为节能设计的理想选择。
型号：SI7442DR
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：6.5mΩ（在Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：29A
封装形式：SO-8
工作温度范围：-55℃ to +150℃
栅极电荷：13nC
输入电容：1040pF
SI7442DR采用了先进的TrenchFET工艺，提供了极低的导通电阻和出色的开关性能。
1. 低导通电阻Rds(on)：这有助于降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 高额定电流：支持高达29A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关能力：具备较低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，适合高频操作。
4. 耐热增强型封装：优化了散热性能，增强了可靠性。
5. 广泛的工作温度范围：从-55°C多种环境条件。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计，SI7442DR广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
5. 工业控制和消费类电子产品中的各种功率管理应用。
SI4446DY, IRF7846TRPBF
