时间：2025/9/14 23:49:53
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PZT5551 是一款高压达林顿晶体管，主要用于需要高电压和高电流增益的应用场合。该晶体管采用 NPN 架构，设计用于处理高电压负载，通常用于继电器、电机驱动、灯负载控制等场合。该器件具有高电压耐受能力，非常适合需要高稳定性和可靠性的电路应用。
晶体管类型：NPN 达林顿晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：150V
集电极电流（IC）：最大 500mA
功率耗散（PD）：2W
电流增益（hFE）：最小 10000（典型值 40000）
封装类型：TO-226（也称为 TO-92 变种）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PZT5551 的主要特性是其高电压能力和高电流增益。它能够在 150V 的 VCEO 下工作，这使得它非常适合需要高压耐受能力的电路。此外，该器件的电流增益非常高，通常在 10000 到 40000 之间，使其能够在微弱输入信号下驱动较大的负载。这种晶体管还具有良好的热稳定性和可靠性，适合在恶劣的工业环境中使用。由于其封装形式紧凑，可以在空间受限的设计中轻松集成。
另一个显著的特性是其达林顿结构，这由两个晶体管组成，第一个晶体管为第二个晶体管提供基极电流，从而实现了非常高的电流放大倍数。这种结构使 PZT5551 成为低输入电流但需要高输出电流应用的理想选择。同时，该晶体管的饱和电压较低，有助于减少功率损耗和发热问题。
PZT5551 常用于需要高电压和高电流增益的电路设计中。它广泛应用于继电器驱动电路，用于将低功率控制信号放大以驱动继电器线圈。此外，该晶体管也常用于直流电机控制、灯负载开关、传感器信号放大等场合。在工业自动化系统、汽车电子设备和消费类电子产品中，PZT5551 都是常见的选择。由于其高电压耐受能力，它也适用于需要与交流电源接口的电路，例如用于控制固态继电器或触发可控硅（SCR）的前置驱动电路。
TIP120, TIP122, BD679, PN2907
