型号：PZM4.7NB2
　　类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：4.7V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大功率耗散：200mW
　　测试电流（Iz）：5mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：30Ω
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD323
　　引脚数：2
　　极性：单向齐纳
　　反向漏电流（Ir）：5μA Max @ Vr = 3.5V

PZM4.7NB2齐纳二极管在性能上表现出优异的电压稳定性和温度适应性，其核心特性之一是具备高度精确的齐纳击穿电压，标称值为4.7V，在5mA测试电流下容差仅为±5%，确保了在精密模拟电路中提供可靠的参考电压。该器件采用了先进的半导体制造工艺，使得其动态阻抗非常低，典型值低于30Ω，从而在负载变化时仍能维持输出电压的稳定性，有效减少电压波动对下游电路的影响。此外，PZM4.7NB2具有较低的反向漏电流，在额定条件下最大仅为5μA，这使其在低功耗应用中表现优异，尤其适合电池供电设备或待机模式下的电压检测电路。
　　该器件的SOD323封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，能够在200mW的功率范围内安全运行。尽管功率不高，但其紧凑的设计非常适合高密度布局的现代电子产品，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。PZM4.7NB2的工作温度范围宽达-65°C至+150°C，覆盖了绝大多数工业与汽车应用场景，结合其符合AEC-Q101标准的特点，使其成为车载传感器模块、ECU电源监控和车载通信接口中理想的电压参考元件。
　　另一个重要特性是其出色的长期稳定性与老化特性。NXP在其生产过程中实施严格的质量控制，确保器件在长时间运行后仍能保持初始电压精度，避免因电压漂移导致系统误差。此外，该齐纳二极管对瞬态电压脉冲具有一定的耐受能力，可用于轻度的过压保护场合，例如在ADC输入端前作为钳位元件使用。综合来看，PZM4.7NB2凭借其高精度、小尺寸、宽温域和高可靠性，成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

PZM4.7NB2广泛应用于多种电子系统中，主要用途包括电压参考源、电源稳压、信号电平转换、过压保护以及偏置电路设计。在模拟电路中，它常被用作ADC或运算放大器的基准电压源，提供稳定的4.7V参考点，确保测量精度。在电源管理系统中，可用于LDO反馈网络或电压监测电路，实现精准的输出电压设定。此外，在汽车电子领域，该器件被集成于传感器信号调理模块中，用于稳定供电电压或防止瞬态高压损坏敏感元件。
　　在消费类电子产品中，PZM4.7NB2常见于手机、平板电脑和智能手表等设备的电源轨保护电路中，起到电压钳位作用，防止因意外电压升高而损坏主控芯片。其小型化封装特别适合这些对空间要求极为严格的设备。在工业控制系统中，该齐纳二极管可用于PLC模块、数据采集系统和通信接口（如RS-232、I2C总线）的电平保护，提升系统的抗干扰能力和运行稳定性。
　　此外，PZM4.7NB2也可用于LED驱动电路中的电压设定，或作为晶体管偏置网络的一部分，确保放大器工作点的稳定性。在电池供电设备中，它可以构成简单的低压检测电路，当电池电压下降至接近4.7V时触发报警或关机机制。由于其具备AEC-Q101认证，该器件还可用于汽车灯光控制模块、车身控制单元（BCM）、车载信息娱乐系统等对可靠性要求较高的场合。总之，PZM4.7NB2凭借其多功能性和高可靠性，已成为各类电子设计中广泛采用的关键被动元件之一。

BZX84C4V7, MMBZ4V7ALT1G, PMZ4.7, SZLL4733A