时间：2025/5/29 11:28:50
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PZ3216D601-2R0TF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高频开关应用和功率转换电路。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适合在要求高效率和小尺寸的设计中使用。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块以及负载开关等领域。其封装形式为行业标准的小型化表面贴装类型，有助于简化 PCB 设计并降低整体解决方案的成本。
型号：PZ3216D601-2R0TF
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：2.0mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
开关频率：高达 2MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TOLL（符合 RoHS 标准）
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用设计，减小磁性元件体积。
3. 具备强大的雪崩能力和鲁棒性，能够应对异常情况下的能量冲击。
4. 热增强型封装设计，改善了散热能力以适应严苛的工作环境。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 提供全面的静电防护 (ESD)，增强了产品的可靠性。
7. 支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产流程。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 汽车电子系统中的负载控制和电机驱动。
3. 工业设备中的逆变器和变频器。
4. 高效电池管理系统 (BMS) 的保护电路。
5. USB-PD 快充适配器及便携式设备的充电解决方案。
6. 通信基站中的电源管理和信号调节电路。
7. 各类消费电子产品中的同步整流和功率调节功能。
PZ3216D601-2R0,
PZ3216D601-2R0TF-A,
PZ3216D601-2R0TF-B
