PY1102W-TR 时间：2025/12/26 11:45:05 阅读：8

PY1102W-TR是一款由Powtech（普瑞）推出的同步整流控制器芯片，广泛应用于反激式开关电源（Flyback Converter）的次级侧同步整流控制。该芯片通过检测功率MOSFET的漏源电压（VDS）来智能判断导通与关断时机，从而替代传统肖特基二极管整流，显著提高电源转换效率，降低系统温升，提升整体能效表现。PY1102W-TR专为高效率、小体积的AC-DC电源适配器、充电器及电源模块设计，适用于5W至65W功率范围的应用场景。该器件采用SOT-23-6L小型封装，便于在紧凑型PCB布局中使用，并具备良好的热性能和可靠性。其内部集成了高压启动电路、自适应开通与关断延迟控制、多重保护机制等功能，能够在全负载范围内实现高效稳定的同步整流操作，尤其适合用于满足能源之星、CoC Tier 2等高能效标准的产品设计。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 20V
　　最大耐压（VDS检测引脚）：100V
　　静态工作电流：典型值180μA
　　驱动输出高电平电压：约10V（栅极驱动电压）
　　开通延迟时间：典型值35ns
　　关断延迟时间：典型值55ns
　　工作频率范围：最高支持500kHz
　　过温保护功能：具备
　　封装形式：SOT-23-6L
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C

特性

PY1102W-TR采用先进的VDS检测技术，能够精确感知外部同步整流MOSFET的漏源电压变化，实现快速且可靠的导通与关断控制。其内置自适应延时调节机制，可根据不同工作条件动态优化开关时序，有效避免体二极管先导通或过早关断导致的能量损耗，从而在宽负载范围内维持高效率。该芯片具备优异的抗噪声能力，在高频开关环境下仍能稳定工作，防止误触发。其驱动能力强，可直接驱动低栅极电荷的N沟道MOSFET，简化外围电路设计。此外，PY1102W-TR集成多重保护功能，包括过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）以及短路抗干扰设计，确保系统在异常工况下的安全运行。芯片还支持断续模式（DCM）、准谐振（QR）和连续导通模式（CCM）等多种反激拓扑工作模式，兼容性强，适用于多种电源架构。得益于其低静态电流设计，即使在待机或轻载状态下也能保持较高的系统效率，有助于满足严格的待机功耗要求。整个控制逻辑由内部精密基准和高速比较器构成，响应速度快，稳定性高，极大提升了电源系统的动态响应能力和长期可靠性。
　　该器件无需外部绕组供电或复杂的辅助电源设计，降低了系统成本与复杂度。同时，其SOT-23-6L封装具有优良的散热性能和较小的寄生参数，适合高频应用中的紧凑布局需求。整体而言，PY1102W-TR以其高集成度、高效率和高可靠性，成为中小功率开关电源中理想的同步整流解决方案之一。

应用

PY1102W-TR主要用于各类中小型开关电源系统中作为次级侧同步整流控制器，典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑的USB充电器与电源适配器；智能家居设备、IoT终端、无线路由器等消费类电子产品的内置电源模块；LED照明驱动电源；以及工业传感器、小型电机驱动器等需要高效直流供电的装置。该芯片特别适用于追求高能效、小体积和低成本设计的反激式电源拓扑结构，能够有效替代传统二极管整流方案，减少发热，提高整体转换效率，助力产品通过国际能效认证标准。此外，由于其良好的动态响应和多模式兼容性，也适用于宽输入电压范围或变频控制的电源设计。在USB PD、QC等快充协议普及的背景下，PY1102W-TR可用于配套主控芯片构建高性能同步整流电源系统，提升快充电源的整体效率与热管理表现。