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PXP1500-100QSJ 发布时间 时间:2025/9/14 4:51:15 查看 阅读:57

PXP1500-100QSJ 是一款由 Intel(英特尔)推出的 FPGA(现场可编程门阵列)芯片,属于其 Intel Agilex 系列产品线。该芯片专为高性能计算、网络加速、人工智能(AI)推理和边缘计算等应用而设计。PXP1500-100QSJ 结合了先进的 10nm 制造工艺、异构计算架构和灵活的可编程逻辑资源,能够提供卓越的性能与能效比。该器件支持多种高速接口,包括 PCIe Gen 5、CXL(Compute Express Link)、以太网以及高速串行接口,适用于数据中心、云计算和嵌入式系统等高性能场景。

参数

型号: PXP1500-100QSJ
  制造商: Intel(英特尔)
  系列: Intel Agilex
  工艺技术: 10nm
  可编程逻辑单元数量: 1500K LEs(逻辑单元)
  嵌入式存储器容量: 高达 78 Mb
  高速收发器数量: 多达 112 个
  最大收发器速率: 112 Gbps
  支持的接口标准: PCIe Gen 5, CXL, Ethernet 100G/400G, DDR5, HBM2e
  封装类型: QSFP(具体封装为 QSJ)
  工作温度范围: 商业级/工业级可选
  电源电压: 多种电压域(包括 0.8V、1.0V、1.8V 等)
  安全功能: 支持硬件安全模块、加密加速、可信平台模块(TPM)
  AI 加速功能: 集成 AI 引擎(支持 INT8、FP16、BFLOAT16 等格式)

特性

PXP1500-100QSJ FPGA 芯片具有多项先进特性,使其在高性能计算和数据中心加速领域表现出色。
  首先,该芯片基于 Intel Agilex 架构,采用异构计算设计,集成了高性能的可编程逻辑(FPGA fabric)、嵌入式处理器(如 ARM Cortex-A55)、AI 加速引擎和高速接口控制器。这种架构允许开发者灵活配置硬件资源,以适应不断变化的应用需求。
  其次,PXP1500-100QSJ 支持多种高速接口标准,包括 PCIe Gen 5、CXL 1.1、100G/400G 以太网、DDR5 内存控制器以及 HBM2e 高带宽内存接口。这些高速接口的集成使得它非常适合用于构建网络加速器、AI 推理设备、存储加速器等。
  此外,该芯片内置了多种安全功能,例如硬件信任根(Root of Trust)、安全启动、加密加速引擎(支持 AES、SHA、RSA 等算法)以及可信平台模块(TPM 2.0)兼容接口。这些安全特性确保了在数据中心和云计算环境中的数据完整性与机密性。
  最后,PXP1500-100QSJ 还支持高级电源管理功能,包括动态电压频率调节(DVFS)和多电源域控制,有助于在高性能与低功耗之间实现最佳平衡。这使得它不仅适用于需要持续高性能的场景,也适用于功耗受限的边缘计算设备。

应用

PXP1500-100QSJ 主要应用于需要高性能、低延迟和高灵活性的领域,包括:
  1. 数据中心加速:作为智能网卡(SmartNIC)或计算加速器,用于 AI 推理、数据库加速、压缩/加密加速等任务。
  2. 网络设备:用于构建 100G/400G 网络交换机、路由器、网络功能虚拟化(NFV)设备等。
  3. 存储加速:支持 NVMe-oF、RAID 加速、去重与压缩加速等应用,提升存储系统的性能与效率。
  4. 边缘计算与 AI 推理:在边缘服务器或工业控制系统中,用于实时图像识别、语音识别、视频分析等 AI 推理任务。
  5. 高性能计算(HPC):用于科学计算、基因组分析、金融建模等领域,提供定制化的加速能力。
  6. 安全与加密:适用于需要硬件级安全保护的系统,如区块链、安全通信设备、可信计算平台等。

替代型号

Intel PXP1500-100QSJ 的替代型号包括 Intel Stratix 10 SX、Intel Agilex F-Series(如 F100、F150)、Xilinx Versal Prime 系列(如 XCVP1019)等。这些型号在性能、接口支持、安全功能和功耗方面具有一定相似性,可根据具体应用场景进行选择。

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PXP1500-100QSJ参数

  • 现有数量13,735现货
  • 价格1 : ¥4.37000剪切带(CT)3,000 : ¥1.55521卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)700mA(Ta),1.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.5 欧姆 @ 700mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)159 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta),16.2W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装MLPAK33
  • 封装/外壳8-PowerVDFN