类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

PXN018-30QLJ MOSFET 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件具备较低的导通电阻（Rds(on)）值，最大为 0.18Ω，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。低 Rds(on) 还有助于减少热量产生，提高系统的稳定性和寿命。
　　其次，该 MOSFET 的漏源电压（Vds）为 300V，支持在高压环境中稳定运行。其栅源电压（Vgs）为 ±30V，具有良好的栅极控制能力，适用于多种栅极驱动电路设计。
　　该器件的连续漏极电流（Id）为 18A，能够支持高电流负载，满足大功率应用的需求。同时，其最大功耗为 200W，结合 TO-263（D2PAK）封装的优异散热性能，能够有效管理热应力，确保器件在高负载条件下的可靠运行。
　　PXN018-30QLJ 采用了先进的平面技术，提供良好的短路和雪崩能力，增强了器件的鲁棒性和耐久性。此外，TO-263 封装形式便于安装和散热，适合在紧凑的 PCB 设计中使用，适用于自动装配工艺。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高系统的响应速度，适用于高频开关应用，如电源适配器、DC-DC 转换器和逆变器等。
　　最后，该器件符合 RoHS 环保标准，适合在对环境要求较高的应用中使用。

PXN018-30QLJ MOSFET 广泛应用于多个领域，尤其适合高功率和高压场合。其主要应用包括：
　　工业电源和电源管理系统：该器件的高耐压和大电流能力使其非常适合用于工业电源、不间断电源（UPS）和高压直流电源系统中。
　　电机驱动和变频器：在电机控制应用中，PXN018-30QLJ 的快速开关特性和低导通电阻可提高驱动效率，减少热量产生，提升系统的动态响应能力。
　　DC-DC 转换器和开关电源（SMPS）：该 MOSFET 的高效率和良好的热性能使其成为高功率密度电源转换器的理想选择，尤其是在隔离型和非隔离型 DC-DC 转换器中。
　　太阳能逆变器和储能系统：在新能源应用中，PXN018-30QLJ 的高耐压和高可靠性可支持太阳能逆变器和储能系统的高效运行，提升整体能源转换效率。
　　消费类电子产品：虽然主要面向工业应用，但该 MOSFET 也可用于高端消费电子产品，如高性能电源适配器和充电器，满足高效率和小型化的设计需求。
　　此外，该器件还可用于测试设备、自动化控制系统和照明驱动电路等应用，提供稳定可靠的功率开关功能。

IXFN18N30Q、IXTH18N30Q、FDPF18N30