晶体管类型：NPN/PNP 双极性晶体管阵列
　　集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V（最大值）
　　集电极-基极电压（Vcb）：50V（最大值）
　　发射极-基极电压（Veb）：5V（最大值）
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTB143TLT1G 具有多个集成晶体管，减少了PCB板上的元器件数量，提高了电路设计的紧凑性和可靠性。
　　该器件采用了先进的硅外延平面工艺，具有优良的电气性能和热稳定性。
　　每个晶体管都具有独立的引脚，便于设计和布局，同时提供了良好的隔离性能。
　　低饱和电压和快速开关特性，使其适用于高频和低功耗应用。
　　内置保护功能，包括过热保护和过流保护，确保在恶劣环境下的稳定运行。
　　工作温度范围宽广，适合在工业级和汽车电子应用中使用。
　　采用无铅封装，符合RoHS环保标准，支持绿色电子设计。

LDTB143TLT1G 广泛应用于工业自动化控制系统，如PLC、传感器和执行器的驱动电路。
　　适用于消费类电子产品，如智能家电、LED照明驱动和音频放大电路。
　　在通信设备中，可用于信号放大、逻辑控制和电源管理电路。
　　汽车电子领域，例如车身控制模块、车载娱乐系统和车载充电器。
　　此外，该器件还可用于数据采集系统、嵌入式控制器和小型电机驱动电路。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，LDTB143TLT1G 也适用于航空航天和军事电子设备。

LDTA143TAT1G, LDTA143TAT3G, LDTB143TAT1G