时间：2025/9/14 7:32:55
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PUMH30 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高功率应用中。这款器件采用了先进的沟道技术，提供高效的开关性能和较低的导通电阻。PUMH30 通常用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域，具有较高的可靠性和稳定性。其封装形式为 TO-220，便于安装和散热处理。
类型: N-Channel MOSFET
最大漏极电流 (ID): 30A
最大漏极-源极电压 (VDS): 60V
导通电阻 (RDS(on)): 45mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷 (Qg): 60nC
工作温度范围: -55°C 至 175°C
封装类型: TO-220
PUMH30 MOSFET 具备多项显著的性能特点。首先，它的导通电阻非常低，仅为 45mΩ，在 VGS 为 10V 的情况下，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。这对于需要高电流的应用（如电机驱动和电源管理）尤为重要。
其次，该器件的最大漏极电流为 30A，能够在高负载条件下稳定工作，满足高性能系统的需求。漏极-源极电压额定值为 60V，使其适用于中高功率的电路设计。
PUMH30 还具有良好的热稳定性和较高的工作温度范围（-55°C 至 175°C），能够在极端环境下保持稳定运行，特别适用于汽车电子和工业控制等要求较高的领域。此外，其 TO-220 封装设计便于散热和安装，增强了系统的可靠性。
该 MOSFET 的栅极电荷为 60nC，确保了较快的开关速度，从而减少了开关损耗，并提高了系统的响应速度。这种特性使其在高频开关应用中表现优异，适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等场景。
PUMH30 广泛应用于多个领域。在汽车电子中，它可以用于电机控制、车身电子系统和车载充电系统。在工业控制方面，适用于 PLC、变频器和伺服驱动器等设备。此外，它还可用于电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统以及高功率负载开关应用。
IRFZ44N, FDP3030BL, IPD90N06S4-03
