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PUMH11 发布时间 时间:2025/4/29 18:48:42 查看 阅读:16

PUMH11是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  作为N沟道增强型MOSFET,PUMH11特别适合在高频应用中使用。其出色的热性能和电气特性使其成为许多高要求应用的理想选择。

参数

型号:PUMH11
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):15W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

PUMH11具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,减少磁性元件体积。
  3. 良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠工作。
  4. 强大的雪崩能量承受能力,增强了器件封装设计,节省电路板空间。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

PUMH11适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动控制中的功率级开关。
  4. 汽车电子中的负载开关和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 充电器和适配器中的同步整流功能实现。

替代型号

PUMH10, PUMH12, IRF540N, FDP17N06

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PUMH11参数

  • 晶体管极性:npn型
  • 电压, Vceo:50V
  • 过渡频率, ft:230MHz
  • 功耗, Pd:200mW
  • 集电极直流电流:100mA
  • 直流电流增益 hFE:30
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗:200mW
  • 封装类型:SOT-363
  • 总功率, Ptot:300mW
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:偏压电阻(BRT)
  • 最大连续电流, Ic:100A
  • 模块配置:
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:50V
  • 电流, Ic hFE:5mA
  • 电流, Ic 最大:100A
  • 电阻, R1:10kohm
  • 电阻, R1 PNP:10kohm
  • 电阻, R2:10kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:30
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:150mV