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IS62WV10248HBLL-45B2LI 发布时间 时间:2025/12/28 18:30:32 查看 阅读:27

IS62WV10248HBLL-45B2LI 是一款由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该SRAM芯片的容量为1Mbit(128K x 8),采用高速访问时间设计,适用于对性能要求较高的嵌入式系统和工业应用。该器件采用标准的异步接口,支持快速读写操作,广泛应用于通信设备、工业控制、医疗仪器和消费类电子产品中。该芯片的封装形式为48引脚TSOP(Thin Small Outline Package),具备良好的热稳定性和电气性能,适合在工业温度范围内工作(-40°C至+85°C)。

参数

容量:1Mbit (128K x 8)
  组织方式:x8
  访问时间:45ns
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:48-pin TSOP-II
  温度范围:工业级 (-40°C 至 +85°C)
  封装尺寸:54mm x 20.0mm x 1.2mm
  输入/输出接口:TTL兼容
  工作模式:异步
  读写控制:OE#, WE#, CE#
  数据总线宽度:8位
  地址总线宽度:17位
  最大工作频率:约18MHz
  功耗(典型值):100mA(读取模式)
  待机电流:10mA(最大)

特性

IS62WV10248HBLL-45B2LI 是一款高性能异步SRAM,具有高速访问时间和宽电压工作范围的特点,适用于多种嵌入式和工业控制系统。
  该SRAM芯片采用了先进的CMOS制造工艺,确保了高速操作和低功耗的平衡。其45ns的访问时间使得该芯片能够满足大多数高速数据缓存和临时存储的需求。工作电压范围为2.3V至3.6V,使其兼容多种电源管理系统,并适用于不同电压平台的电路设计。
  该芯片采用标准的x8组织结构,支持8位数据总线操作,地址线为17位,可寻址128K地址空间。异步控制接口包括片选(CE#)、输出使能(OE#)和写使能(WE#),能够与多种主控设备(如微控制器、DSP或FPGA)无缝连接。
  在封装方面,该器件采用了48引脚TSOP-II封装,尺寸小巧且热稳定性良好,适合高密度PCB布局。此外,该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在各种恶劣环境下依然能够稳定工作。
  功耗方面,IS62WV10248HBLL-45B2LI在典型工作模式下电流为100mA,在待机模式下电流不超过10mA,提供了良好的低功耗性能,适用于电池供电设备和对能耗敏感的应用场景。
  该SRAM芯片还具备优异的抗干扰能力和稳定性,支持高可靠性的数据读写操作,广泛用于工业自动化、网络设备、测试仪器和消费类电子产品。

应用

IS62WV10248HBLL-45B2LI 由于其高速访问时间、低功耗和宽工作电压范围,被广泛应用于多个领域。
  在工业自动化领域,该芯片常用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和工业计算机中,作为临时数据存储器,支持快速数据交换和缓存操作。
  在通信设备中,IS62WV10248HBLL-45B2LI 被用作高速缓存存储器,应用于路由器、交换机、无线基站和光通信模块,以提升数据处理效率。
  该芯片也常见于消费类电子产品中,如数码相机、视频采集设备和便携式音频播放器,用于图像缓存或音视频数据缓冲。
  在测试与测量设备中,例如示波器、信号发生器和频谱分析仪,IS62WV10248HBLL-45B2LI 用于高速数据采集和处理,确保测试数据的实时性和准确性。
  此外,该芯片还可用于医疗设备、汽车电子系统和智能安防设备中,作为关键数据的临时存储单元。

替代型号

IS62WV10248ALL-45B2LI, CY62148EALL18ZSXE, IDT71V128SA10PI, IS61LV10248-10B4LI

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IS62WV10248HBLL-45B2LI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格480 : ¥34.15235散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)