时间：2025/9/14 12:19:01
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PUMD9,135 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的双通道双极型晶体管（NPN 和 PNP 各一只）阵列器件，适用于广泛的模拟和数字电路设计。该器件采用 TSSOP 封装，具有小尺寸、低功耗和高可靠性，适合用于开关、电平转换、信号缓冲等应用场景。
晶体管类型：NPN 和 PNP 双晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：100 V（NPN）、100 V（PNP）
集电极电流（IC）：100 mA（每个晶体管）
功耗（PD）：300 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSSOP
PUMD9,135 具备多个显著特性，使其在多种电路设计中表现出色。首先，该器件集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管，使得在需要互补操作的电路中使用更加方便，例如在推挽放大器或 H 桥驱动器中。这种集成设计不仅节省了 PCB 空间，还减少了外部元件数量，提高了系统可靠性。
其次，PUMD9,135 的最大集电极-发射极电压为 100 V，适用于中高压应用。尽管其最大集电极电流为 100 mA，但这足以满足许多低功耗开关和信号处理任务的需求。此外，该器件的封装为 TSSOP，具有良好的热性能和电气性能，适用于表面贴装工艺，适合大规模自动化生产。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用。其高可靠性和宽温度范围使得它能够在恶劣环境中稳定工作。此外，PUMD9,135 的功耗为 300 mW，具有良好的热管理能力，适用于对功耗敏感的设计。
最后，该器件具有较高的性价比，适用于多种应用场景，包括但不限于数字逻辑电路、传感器接口、LED 驱动、继电器控制等。
PUMD9,135 的应用场景非常广泛。由于其集成 NPN 和 PNP 晶体管的特性，它常用于需要互补驱动的电路中，例如电机驱动电路中的 H 桥结构、推挽式放大器以及电平转换电路。此外，PUMD9,135 也适用于数字电路中的开关控制，例如用于驱动 LED、小型继电器或 MOSFET 栅极。
在工业自动化领域，该器件可用于传感器信号的调理和开关控制，其高耐压特性使其适合用于较高电压的传感器或执行器接口。在消费类电子产品中，PUMD9,135 可用于电源管理、音频放大或逻辑电平转换等功能模块。
在汽车电子应用中，PUMD9,135 由于其宽工作温度范围和高可靠性，可被用于车身控制模块、车载娱乐系统、车灯控制电路等。同时，它也适用于电池管理系统中的低功耗开关控制。
此外，PUMD9,135 也可用于通信设备中的信号路由、缓冲器设计以及接口电路中，提供稳定可靠的信号处理能力。
PUMD9,115、PUMD2,135、MUN5211DW1T1G、MUN5212DW1T1G
