IRKH132/08 时间：2025/12/26 21:09:57 阅读：19

IRKH132/08是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的TrenchStop技术，能够在高频开关条件下实现极低的导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。IRKH132/08特别适用于工业电源、太阳能逆变器、电动工具以及电机驱动等对能效和热管理有严格要求的应用场景。其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能和机械稳定性，便于在各种电路板上安装与使用。此外，该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。

参数

型号：IRKH132/08
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：650 V
　　连续漏极电流Id：12 A
　　脉冲漏极电流Idm：48 A
　　导通电阻Rds(on)：132 mΩ @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压Vgs(th)：3 V ~ 5 V
　　最大功耗Pd：125 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220AB
　　技术：TrenchStop

特性

IRKH132/08采用了英飞凌领先的TrenchStop技术，这项技术通过优化晶体管的垂直结构，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻和开关损耗。这种设计使得器件在650V的工作电压下仍能维持出色的能效表现，尤其适合用于PFC（功率因数校正）电路和硬开关拓扑如反激式或正激式转换器中。器件的Rds(on)仅为132mΩ，这意味着在传输大电流时产生的热量更少，有助于减小散热器尺寸并提高功率密度。此外，较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）进一步减少了驱动损耗和开关过程中的能量消耗，使系统能够在更高频率下运行而不会显著增加温升。
　　该MOSFET具有优异的热稳定性和长期可靠性，得益于其坚固的封装设计和内部连接工艺，能够承受反复的热循环而不影响性能。器件还具备较强的抗雪崩能力，意味着在发生意外过压或电感负载突变时，仍能安全地吸收瞬态能量，防止永久性损坏。这对于工业级应用尤为重要，因为在这些环境中电源波动和电磁干扰较为常见。同时，TO-220AB封装提供了良好的电气隔离和散热路径，可通过散热片将热量有效传导至外部环境，确保器件长时间稳定运行。
　　IRKH132/08符合RoHS标准，支持绿色环保制造流程，并且在整个生命周期内表现出稳定的参数一致性，有利于批量生产和质量控制。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常温环境，也能在极端高低温条件下可靠工作，扩展了其应用场景的适应性。