PUMD20 时间：2025/9/14 23:32:51 阅读：57

PUMD20 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET器件，采用高性能的MDmesh?技术，适用于高频率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优良的热性能，广泛应用于电源转换、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.19Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：36nC
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

PUMD20 采用了先进的MDmesh?技术，提供了极低的导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。
　　其高耐压能力（650V）使其适用于各种高压应用，如AC-DC电源适配器、工业自动化设备和照明系统。
　　该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
　　PUMD20 的低导通电阻（RDS(on)）减少了功率损耗，有助于降低工作温度并提升能效。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，能够减小外部滤波元件的尺寸，从而提高整体系统的功率密度。

应用

PUMD20 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、工业控制设备以及照明设备等。
　　在电源管理领域，PUMD20 用于构建高效的开关电源（SMPS），提高能源转换效率。
　　在电机控制中，该器件可用于H桥驱动电路，实现对电机的精确控制。
　　同时，它也适用于逆变器、UPS（不间断电源）以及光伏逆变器等新能源相关应用。
　　由于其优异的性能，PUMD20 还可用于高频开关电源设计，如适配器、LED驱动电源等。