PUMD20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET器件,采用高性能的MDmesh?技术,适用于高频率开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压和优良的热性能,广泛应用于电源转换、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效能功率开关的场合。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):20A
最大漏源电压(VDS):650V
导通电阻(RDS(on)):0.19Ω @ VGS=10V
栅极电荷(Qg):36nC
功率耗散(PD):75W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装形式:TO-220
PUMD20 采用了先进的MDmesh?技术,提供了极低的导通损耗和开关损耗,从而提高了整体系统效率。
其高耐压能力(650V)使其适用于各种高压应用,如AC-DC电源适配器、工业自动化设备和照明系统。
该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,提高了系统的可靠性和寿命。
PUMD20 的低导通电阻(RDS(on))减少了功率损耗,有助于降低工作温度并提升能效。
此外,该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关应用,能够减小外部滤波元件的尺寸,从而提高整体系统的功率密度。
PUMD20 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、工业控制设备以及照明设备等。
在电源管理领域,PUMD20 用于构建高效的开关电源(SMPS),提高能源转换效率。
在电机控制中,该器件可用于H桥驱动电路,实现对电机的精确控制。
同时,它也适用于逆变器、UPS(不间断电源)以及光伏逆变器等新能源相关应用。
由于其优异的性能,PUMD20 还可用于高频开关电源设计,如适配器、LED驱动电源等。
STD20N65M5, STF20N65M5, FDPF20N65AS